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* 第二章 电介质材料 第一节、电介质的基本物理性质 1.1 电介质的介电常数 如果将某一均匀的电介质作为电容器的介质而置于其两极之间，由于电介质的极化，可造成电容器的电容量比以真空为介质时的电容量增加若干倍，电介质的这一性质称为介电性。电容量增加的倍数称为电介质的介电常数 ，或称介电渗透率，用来表示材料介电性的大小。 电介质的极化 极化 ： 在电场作用下，电介质中束缚着的电荷发生位移或者极性按电场方向转动的现象，称为电介质的极化。 1.2 复介电常数 对于真空中的平板电容器，在其上加一个交变电压，则电极上出现电荷（该电荷与外电压同相） 其电流为： 与外电压有相差90度，是一种非损耗性电流 如果极板间加入材料是弱电性的，或极性的，或两者均有，总之材料具有一定的电导，则在材料中必然会存在一个与导电性能有关的电流GU，这个电流与外电压的频率是没有关系的。则电容器总的电流应为两部分之和，可表示为： 由于： 另：电流密度可收可表示为： 故可定义复介电常数： 故电流密度为： 损耗角定义为： U 1.3 多相系统电介质材料的介电常数 如果二相的介电常数相差不大，而且均匀分布时，其混合物的介电常数为： 当介电常数为 的球形颗粒均匀地分散在介电常数为 的基相中时，其混合物的介电常数为： 1.4 介电常数的温度系数 指随温度的变化，介电常数的相对变化率，即： 此参数可正可负 当一种材料由两种介质复合而成，且这两种介质的粒度都非常小，分布均匀时，该材料的温度系数可由定义式微分得到，即： 2 介质损耗 在恒定电场下的损耗能量与通过其内部的电流有关，电流包括：介质的几何电容的充电所造成的电容电流，不损耗能量；由各种极化的建立所造成的电流，所引起的损耗称为极化损耗；则介质的电导造成的电流，所引起的损耗称为电导损耗。在直流电场下，介质损耗率取决于材料的电导率；在交变电场下，介质损耗不仅与自由电荷的电导有关，还与松弛极化过程有关，与频率有关。其交流电压下的介质等效电导率仅由介质本身决定，称为损耗因素。可表示为： 3 介电强度 当电场强度超过某一临界时，介质由介电状态变为导电状态，称介电强度的破坏，或介质的击穿。相应的临界电场称为介电强度或击穿强度。 击穿强度类型分为三种：热击穿，电击穿，局部放电击穿 热击穿：本质是处于电场中的介质，由于其中的受热，当外加电压足够高时，可能从散热与发热的热平衡状态转入不平衡状态，若发出的热量比散去的多，介质温度将越来越高，直到出现永久性损坏。 电击穿：本质是在强电场下，固体导带中可能因冷发射或热发射存在一些电子。这些电一方面在外电场下被加速，获得动能；另一方面与晶格振动相互作用，把电场的能量传递给晶格。在一定的温度和场强下平衡，固体有稳定的电导；当电子从电场中得到的能量大于传递给晶格的能量时，电子的动能越来越大，至电子能量大到与晶格碰撞能产生电离时，自由电子数急剧增加，电导进入不稳定阶段，发生击穿。 第二节 微波介电陶瓷 评价微波介电陶瓷的主要技术参数是介电常数 ，品质因数Q和频率温度系数TCF。 微波介质陶瓷（MWDC）是指应用于微波频段(主要是UHF、SHF频段，300MHz～300GHz)电路中作为介质材料并完成一种或多种功能的陶瓷，是近年来国内外对微波介质材料研究领域的一个热点方向。这主要是适应微波移动通讯的发展需求。 频率温度系数TCF: 为介电常数 的温度系数； 为热膨胀系数。 用于微波频段的介质一般要满足如下4个要求： （1）高介电常数 （2）低介质损耗（高Q） （3）温度膨胀系数小 （4）低频率温度系数TCF 微波介质材料 微波介质谐振器优点： (l)小型化(高介电常数) 　众所周知，微波设备实现小型化、高稳定及廉价的方式是微波电路的集成化。在微波电路集成化的进程中，金属波导实现了平面微带集成化，微波管实现了小型化。但是，微波电路中各种金属谐振腔由于体积和重量太大，难以和微带电路相集成，解决这一困难的出路在于使用微波介质陶瓷材料制作谐振器。已经知道，谐振器的尺寸和电介质材料的介电常数的平方根成反比。所以电介质材料的介电常数越大，所需要的电介质陶瓷块体就越小，谐振器的尺寸也就越小。因此，微波介质陶瓷材料的高介电常数有利于微波介质滤波器的小型化，可使滤波器同微波管、微带线一道实现微波电路混合集成化，使器件尺寸达到毫米量级，其价格也比金属谐振腔低廉得多。 (2)高稳定性(接近于零的频率温度系数）? 　　通信器件的工作环境温度不可能一成不变。如果微波介质材料的谐振频率随温度变化较大，滤波器的载波信号在不同的温度下就会漂移，从而影响设备的使用性能。这就要求材料的谐振频率不能随温度变化太大。温