聚合物光波导的反应离子刻蚀工艺研究.pdfVIP

聚合物光波导的反应离子刻蚀工艺研究 陆志远 ，胡国华 ，恽斌峰，崔一平 (东南大学 电子科学与工程学院 先进光子学中心，南京 210096) 摘要：实验研究了表面粗糙度、侧壁垂直度与各刻蚀参量之间的关系，通过对刻蚀效果的分析，发现 在低功率、高CHF3含量、低压强的情况下能获得最小的表面粗糙度；在高功率、50％CHF3含量、低 压强的情况下能获得较陡直的波导侧壁 。利用优化的刻蚀条件，对 PMMA进行刻蚀 ，得到了均方 根粗糙度小、侧壁陡直的波导。实验发现，该刻蚀条件对其他聚合物光波导材料的刻蚀也具有一 定的指导意义。 关 键 词：反应离子刻蚀；波导；PMMA；粗糙度；侧壁垂直度 中图分类号 ：TN252 文献标识码 ：A 1 引言 0．3g／mL的 PMMA溶液，将 旋涂转速控制 为 1000r／min，使 PMMA 的膜 厚达 到 ～10 _／tm。 100oC烘干之后在 PMMA上真空蒸镀一层 Al膜 ， 传统的光集成 (OIC)和光 电集成 (OEIC)器件 蒸镀电流为 25A，时间3min，厚度约为 100nm。接 主要是制作在铌酸锂 (LiNbO)、硅基半导体和三五 着再旋涂厚度约为 2 m的正性光刻胶 ，经过软烘、 族化合物等一些无机材料上。由于有机聚合物在合 曝光、后烘、显影等步骤之后，就得到了用于反应离 成、加工、器件制备方面相对容易，而且价格低廉 ，近 子刻蚀 的样片。 年来，人们逐步开始 了有机聚合物光波导材料及器 实验采用的是国产创维纳公司的RIE一3型反应 件的研究工作E卜 。低损耗波导的制作是实现光器 离子刻蚀机，极限真空度为 9．0X10 Pa，刻蚀均匀 件广泛应用的基础和保证E引，要想获得低损耗的聚 性≤±5％。反应气体为CHF3和 02的混合气体。 合物光波导，必须在刻蚀的工艺过程中降低表面粗 实验步骤为：(1)把样片放入反应室中；(2)利用 糙度 ，提高侧壁垂直度 。目前，人们研究较多的是硅 机械泵把反应室压强抽至 2Pa，然后利用分子泵把 材料的反应离子刻蚀 (RIE)，至于如何在有机聚合物 压强进一步抽至 3X10 Pa；(3)通入反应气体，调 材料的反应离子刻蚀中降低表面粗糙度，提高侧壁 节所需的气体流量及气体压强；(4)开启射频电源， 垂直度 ，研究还 比较少E 6J。 调至所需功率，记录时间，开始刻蚀；(5)刻蚀完毕 本文主要研究了在刻蚀 PMMA材料时射频功 后 ，抽去反应室中的残留气体，然后通入空气，取出 率、气体压强、CHF 含量等参量对表面粗糙度 以及 刻蚀好 的样片。 侧壁垂直度的影响，通过对刻蚀结果的比较分析，以 为避免边缘效应_7J的影响，在刻蚀 的过程 中把 摸索更好的刻蚀条