关于铜在化学处理后的单晶硅上选择性电镀的分析.pdfVIP

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2019-06-24 发布于安徽
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关于铜在化学处理后的单晶硅上选择性电镀的分析.pdf

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ABSTRACT thinfilm economical a Among depositiontechniques，theelectroplatingprocessacquires dealofattentioninthesemiconductor isoneof great themost metal industry．Copper potential and siliconis usedduetoits mechanicalandelectrical singlecrystal widely good itis difficulttoobtain the directseedless critically homogeneouscopperlayer by behaviorof whichis and ontosilicon Therefore，the copper electrodepositeddirectly selectively surfaceisinvestigated． Inordertounderstandhowthe theelectricaldouble electroplatingworks，theories including and modelare the layermodel，nucleationgrowth influenceofsurface studied．Considering defectson are tothesiliconsurfacein theformof nucleation，defects brought theadhesionbetween and mechanical—interlocking，improvingcopper isselectedto thedefects．The hydroxide(KOH)wetanisotropicetching produce etching withdifferent in40％KOHat60oCaresimulatedinthe processesof(100)silicon shapes softwareIntelliSuite． 1 waferarechosenas and (100)and(11)silicon buffered areusedto the siliconcathodes． hydrofluoricacid(BHF)etchingpreparepatterned Pre—treat