霍尔元件的测量电路4.ppt

若磁场B和霍尔元件平面的法线成一角度θ，则作用于霍尔元件的有效磁感应强度为B cosθ，因此 UH=KHIBcosθ 3）P型半导体，其多数载流子是空穴，也存在霍尔效应，但极性和N型半导体的相反。 4）霍尔电压UH与磁场B和电流I成正比，只要测出UH ，那么B或I的未知量均可利用霍尔元件进行测量。 国产霍尔元件型号的命名方法 二、主要技术指标 1、额定控制电流IC和最大控制电流ICm 霍尔元件在空气中产生10℃的温升时所施加的控制电流称为额定控制电流IC。在相同的磁感应强度下，IC值较大则可获得较大的霍尔输出。 霍尔元件限制IC的主要因素是散热条件。 随着激励电流的增大，霍尔元件的功耗也随之增大，元件的温度升高，将引起霍尔电势的温漂。因此对霍尔元件要规定最大激励电流。 一般锗元件的最大允许温升ΔTm80℃，硅元件的ΔTm175℃。当霍尔元件的温升达到ΔTm时的电流就是最大控制电流ICm 。 霍尔元件的乘积灵敏度定义为在单位控制电流和单位磁感应强度下，霍尔电势输出端开路时的电势值，其单位为V（AT），它反应了霍尔元件本身所具有的磁电转换能力，一般希望它越大越好。 3、输入电阻Ri和输出电阻R0 Ri是指流过控制电流的电极（简称控制电极）间的电阻值，R0是指霍尔元件的霍尔电势输出电极（简称霍尔电极）间的电阻，单位为Ω。可以在无磁场即B＝0和室温（20 5）℃时，用欧姆表等测量。 若温度变化，则引起输入电阻变化，从而使输入电流发生改变，最终导致霍尔电势变化。输出电阻也会随着环境温度的变化而变化。 适当选择负载与之匹配，可以减小霍尔电势的温度漂移。 3.最大磁感应强度BM 由霍尔效应可知，磁感应强度的增加将使霍尔电势的输出增加。但磁感应强度若超过一定的界限，霍尔电势的非线性明显增加，故规定了BM来抑制非线性。 合理选择负载电阻 如上图所示，若霍尔电势输出端接负载电阻RL，则当温度为T时，RL上的电压可表示为： 当温度由T变为T+ΔT时，则RL上的电压变为 （三）采用热敏元件 对于由温度系数较大的半导体材料（如锑化铟）制成的霍尔元件，常采用右图所示的温度补偿电路，图中Rt是热敏元件（热电阻或热敏电阻）。 图（a）是在输入回路进行温度补偿电路，当温度变化时，用Rt的变化来抵消霍尔元件的乘积灵敏度KH和输入电阻Ri变化对霍尔输出电势UH的影响。 （一）基本补偿电路 霍尔元件的不等位电势补偿电路有多种形式，图9－7为两种常见电路，其中RW是调节电阻。 基本补偿电路没有考虑温度变化的影响。当温度发生变化，需要重新进行平衡调节。 （二）具有温度补偿的补偿电路 右图是一种常见的具有温度补偿的不等位电势补偿电路。该补偿电路本身也接成桥式电路，其工作电压有霍尔元件的控制电压提供；其中一个为热敏电阻Rt，并且于霍尔元件的等效电阻的温度特性相同。 在该电桥的负载电阻RP2上取出电桥的部分输出电压（称为补偿电压），与霍尔元件的输出电压反向串联。在磁感应强度B为零时，调节RP1和RP2，使补偿电压抵消霍尔元件此时输出的不等位电势，从而使B＝0时的总输出电压为零。 优点：采用桥式补偿电路，可以在霍尔元件的整个温度范围内对不等位电势进行良好的补偿，并且对不等位电势的恒定部分和变化部分的补偿可独立地进行调节。所以，可达到相当高的补偿精度。 第四节 霍尔式传感器举例 一、将被测量转换为磁感应强度B 保持霍尔元件的控制电流I恒定不变，就可测量磁感应强度B，以及位移、角度等可直接转换为B的物理量，进一步还可以测量先转换成位移或角度、然后间接转换为B的物理量，如振动、压力、速度、加速度、转速等等。 下面以霍尔式压力传感器为例进行说明。 霍尔式压力传感器由两部分组成：一部分是弹性敏感元件的波登管用以感受压力P，并将P转换为弹性元件的位移量x，即x＝KPP，其中系数KP为常数。 另一部分是霍尔元件和磁系统，磁系统形成一个均匀梯度磁场，如右图所示，在其工作范围内，B＝KBx，其中斜率KB为常数；霍尔元件固定在弹性元件上，因此霍尔元件在均匀梯度磁场中的位移也是x。 5霍尔接近传感器和接近开关 在霍尔器件背后偏置一块永久磁体，并将它们和相应的处理电路装在一个壳体内，做成一个探头，将霍尔器件的输入引线和处理电路的输出引线用电缆连接起来，构成如图2所示的接近传感器。 8 霍尔应力检测装置 图6示出用来进行土壤和砂子与钢界面上的法向和切向应力检测的霍尔传感器装置。(a)检测剪切应力，(b)检测压应力。箭头所指是施加的外力方向。 实现电－磁－电的转换  众所周知,在有电流流过的导线周围会感生出磁场,该磁场与流过的电流的关系,可由安培环路定理求出。 用霍尔器件检测由电流感生的磁场,即可测出产生这个磁场的电流的量值。由此,可以