第三章 单极型半导体器件.pptVIP

晶体管 双极型晶体管（结型晶体管）： 有两种载流子（电子、空穴）参与工作。 单极型晶体管（场效应晶体管）： 只有一种极性载流子参加工作，而且是多子。 单极型晶体管 结型场效应晶体管（JFET）：体内场效应晶体管。 金属 - 半导体场效应晶体管（肖特基场效应晶体管）（MESFET）：体内场效应晶体管。 绝缘栅场效应晶体管 （金属-绝缘体-半导体场效应晶体管） （金属-氧化物-半导体场效应晶体管） （IGFET：MISFET，MOSFET）：表面场效应晶体管。 基本结构 金属 - 半导体结构（M-S 结构）。 金属 – 氧化物 – 半导体结构（MOS 结构）。 3.1 金属 – 半导体接触 3.1.1 金属 – 半导体结构 一、 热平衡时的能带结构 1. 几个物理量 电子的真空能级 ： 半导体内部电子处于势阱中运动，电子从其中逸 出体外刚好处于静止时的能量。 功函数 ： 一个起始能量等于 的电子逸出材料体内进入真 空中所需的最小能量， 是以电势表示的功函数。 其中 金属功函数 为： （3- 1） 半导体功函数 为： （3- 2） 因此， 与掺杂情况有关。 电子亲和能 ： 半导体导带底电子逸出到真空中所需的最小能量。 （3- 3） 式中 称为电子亲和势，与掺杂无关，仅由材料决定。 空间电荷区 扩散运动 空间电荷区 内建电场 漂移运动 热平衡 M-S 结 （仅由半导体表面层杂质提供，如 情况） （ 和 都一定，没有净电流 ） 热平衡下的能带结构 能带结构（Al - n-Si）  能带弯曲，形成势垒。 半导体势垒 ： 金属势垒 （肖特基势垒高度） （3- 4） （3- 5） [ 注意 ] 能带弯曲判断方法： 越大处电势越高，但该处电子能量越低。 势垒 阻挡层（肖特基势垒）：对多子其阻挡作用（电阻高） 反阻挡层（肖特基势阱）：对多子起“反”阻挡作用（电阻低) 由式（2- 32）得出，肖特基势垒宽度 为： （3- 6） [ 例题 7 ] 画出金属（功函数 ）- 半导体（功函数 ）结 （包括 n、p 型）四种平衡状态的能带图。 [ 分析 ] 二、 非平衡时的能带结构 判断 MS 结正反偏置依据 分析 和 方向是否 能带结构 平衡 非平衡 相反：正向偏置 相同：反向偏置 势垒 电阻高 电阻低 动力：外加电源提供 净电流流动 2. 电容效应 类似于 结，外偏压下半导体耗尽层宽度 W 将改 变，空间电荷也将改变，故存在势垒电容。由式（2- 36） （2- 37）易证明， MS 结单位面积势垒电容 可写成： （3 -7） 这里： （3 -8） 因此，通过实验测量的 曲线，依据式（2- 39） （2- 40）便可求出半导体势垒高度 及其体内的杂质浓 度分布。 [ 例题8 ] 金属 a，b分别与等面积的两种 （且迁移率 相同）A 和 B 形成肖特基整流接触，这两个 MS 结 的实验曲线如下图，判断哪种半导体硅的电阻率较 大？哪种金属的功函数较高？ [ 解 ] 对 MS 结，因