磁电阻测量实验报告材料南京大学.docVIP

标准文档 实用文案 南京大学物理系实验报告 题目 实验10.1 各向异性磁电阻测量 姓名 朱瑛莺 2014年5月16日 学号 111120230 摘要 通过对磁性合金的各向异性磁电阻的测量，初步了解磁电阻的一些特性，同时掌握室温磁电阻的测量方法。 关键词：磁电阻，外磁场，磁滞，热效应 引言 材料的电阻率随着外加磁场的不同而改变的现象就是磁电阻效应。我们把磁场引起的电阻率变化写成 其中和分别表示在磁场H中和没有磁场时的电阻率。磁电阻的大小常表示为： 其中可以是或，电阻率的变化与磁场方向与导体中电流方向的夹角有关，即具有各向异性，称之为各向异性磁电阻（AMR）。 此后人们陆续发现了，MR很大的巨磁电阻（GMR）效应和庞磁电阻（CMR）效应，以及隧道结磁电阻（TMR） 实验目的 (1) 初步了解磁性合金的AMR，多层膜的GMR，掺碱土金属稀土锰氧化物的CMR； (2) 初步掌握室温磁电阻的测量方法。 实验原理 材料的磁电阻和其在磁场中的磁化方向有关，即磁阻值是其磁化方向与电流方向之间夹角的函数。外加磁场方向与电流方向的夹角不同，饱和磁化时电阻率不一样，通常取外磁场方向与电流方向平行和垂直两种情况测量AMR。即有： 若退磁状态下磁畴是各向同性分布的，畴壁散射变化对磁电阻的贡献较小，将之忽略，通常取： 对于大多数材料，故： 如果，则说明该样品在退磁状态下有磁畴结构，即磁畴分布非完全各项同性。图-1是曾用作磁盘读出磁头和磁场传感器材料的Ni81Fe19的磁电阻曲线,各向异性明显。图中的双峰是材料的磁滞引起的。 图-2是一些铁磁金属与合金薄膜的各向异性磁电阻曲线。 实验仪器 亥姆霍兹线圈、大功率恒流电源、大功率扫描电源、精密恒流源、数字万用表等。 实验注意事项 1、亥姆霍兹线圈中通的电流比较大，因而不能长时间让线圈工作在强电流下，以免烧毁线圈。所以读数时间需要控制，取样点不宜过多； 2、实验结束时要将各个电源归零，关闭数字万用表。 3、在记录过程中，在样品电压变化缓慢的区域，线圈电流可以变化的快一些，在样品电压变化快的区域，线圈电流要缓慢变化。每组取样点控制在60个左右。 4、有时数据有明显跳动，这样的点不能选取，需要寻找下一个读数稳定的点； 实验内容 方法 （1）将样品切成窄条，这在测AMR时是必需的。对磁性合金薄膜，饱和磁化时，样品电阻率有如下关系: 其中是磁场方向与电流方向的夹角。为保证电流有一确定方向，常用的方法是： 1、将样品刻成细线，使薄膜样品的宽度远远小于长度。 2、用平行电极，当电极间距远小于电极长度时，忽略电极端效应，认为两电极间的电流线是平行的。 （2）用非共线四探针法测电阻值 图-3如图-3所示。这种方法当数字微伏表内阻很大时，可以忽略探针接触电阻的影响，已在半导体、铁氧体、超导体等的电测量中广泛使用。 图-3 测量 1.测量薄膜的AMR a.将大功率恒流源与亥姆霍兹线圈连接。 b.将样品装上四探针夹具，并作如图-3所示连接。 c.将装好样品的夹具固定在亥姆霍兹线圈中心，并确保电流方向与磁场方向平行。 d.将毫特斯拉计探头固定在样品附近。 e.确保所有仪器调整旋钮均在输出为零位置，启动所有测量仪器，预热5-15分钟，并作校准。 f.调整精密恒流源输出，使测量电流（流过样品的电流）为1-100mA范围内的某个确定电流，具体大小视样品情况与测量仪表精度决定。 g.调节大功率恒流源输出电流，从零开始，逐点增大，以改变磁场大小，逐点记录大功率恒流源输出电流值、毫特斯拉计显示的磁场大小、数字微伏表显示的电压值。注意开始时磁场变化的步距要小。 h.当磁场继续增大，微伏表显示电压值基本不变时，将大功率恒流源输出电流逐点减小，仍作上述记录。 i.当大功率恒流源输出电流降到零时，将输出极性反向。 j.再重复ｇ、ｈ两步测量、记录。 k.将样品夹具转90度固定好，确保电流方向与磁场方向垂直，再重复e-j步测量、记录。 实验结果与分析 电流与磁场方向平行： 记录的数据用origin作图如图-4： 图-4 平行磁场时电压与磁场变化关系图 由实验原理可知水平方向电流正比于磁场，而竖直方向电压正比于电阻率，所以上图可以看作是磁场与电流方向垂直时待测样品的AMR曲线。 当薄膜的面积大于探针间的距离时，金属薄膜的电阻率 可以用下式给出： 其中d是薄膜的厚度，I是流经薄膜的电流，V式薄膜两探针之间的距离。在本实验中，I是恒定值I=6mA。而电压是实验中测得的值，因而电压与电阻率成正比，实验测得电压随磁场的变化与电阻率随磁场变化情况一样。 图中的两个谷值为6.632mV和6.652mV，取平均为6.642mV，又电流为6mA,有： 。 图中的三个饱和值为6.807mV,6.829