LED倒装制程的培训.ppt

其实倒装晶片之所以被称为“倒装”是相对于传统的金属线键合连接方式（Wire Bonding）与植球后的工艺而言 的。传统的通过金属线键合与基板连接的晶片电气面朝上，而倒装晶片的电气面朝下，相当于将前者翻转过来， 故称其为“倒装晶片”。 目前GaN 基外延衬底材料有两大类：一类是以日本“日亚化学”为代表的蓝宝石；一类是美国 CREE 公司为代表的 SiC 衬底。传统的蓝宝石衬底GaN 芯片结构如图1 所示，电极刚好位于芯片的出光面。在这种结构中，小部分 p-GaN 层和“发光”层被刻蚀，以便与下面的 n-GaN 层形成电接触。光从最上面的 p-GaN 层取出。p-GaN 层有限的电导率要求在p-GaN层表面再沉淀一层电流扩散的金属层。这个电流扩散层由 Ni 和 Au 组成，会吸收部分光，从而降低芯片的出光效率。为了减少发射光的吸收，电流扩展层的厚度应减少到几百纳米。厚度的减少反过来又限制了电流扩散层在 p-GaN层表面均匀和可靠地扩散大电流的能力。因此这种p 型接触结构制约了LED 芯片的工作功率。同时这种结构pn结的热量通过蓝宝石衬底导出去，导热路径较长，由于蓝宝石的热导系数较金属低（为3 5 W / m ·K ），因此，这种结构的 L E D 芯片热阻会较大。此外，这种结构的p电极和引线也会挡住部分光线进入器件封装，所以，这种正装 LED 芯片的器件功率、出光效率