MOCVD和LED基础知识介绍.pdfVIP

MOCVD 设备和外延生长 2007．01 外延技术与设备是外延片制造技术的关键所在。气相外延（ VPE ），液相外延（ LPE ），分 子束外延（ MBE ）和 金属有机化合物气相外延 （MOCVD ）都是常用的外延技术。 当前， MOCVD 工艺已成为制造绝大多数光电子材料的基本技术。 （气相外延 - 在含有外延生长所需原子的化合物的气相环境中，通过一定方法获取外延生 长所需原子， 使其按规定要求排列而生成外延层的外延生长过程。 （V apor Phase E pitaxy ） 液相外延 - 衬底片的待生长面浸入外延生长的液体环境中生长外延层的外延生长过程。 ( L iquid Phase Epitaxy ) 分子束外延 - 在高真空中，外延生长所需原子（无中间化学反应过程）由源直接转移到待 生长表面上，按规定要求排列生成外延层的外延生长过程。 ( Molecular B eam Epitaxy ） MOCVD （Metal Organic Chemical Vapor Deposition ）设备作为化合物半导体材料研究和生产 的手段，特别是作为工业化生产的设备， 它的高质量、稳定性、重复性及规模化是其它的半 导体材料生长设备无法替代的。 它是当今世界上生产半导体光电器件和微波器件材料的主要 手段，如激光器、探测器、发光二极管、高效太阳能电池、光电阴极等，是光电子等产业不 可缺少的设备。 但我国至今没有生产该设备的专业厂家， 各单位都是花费大量外汇从国外购 买，使用过程中的维护和零配件的采购都存在很多的不便，且价格昂贵。 全球最大的 MOCVD 设备制造商 AIXTRON, 美国 Veeco 公司 . 一， MOCVD 设备 1. 发展史：国际上起源于 80 年代初，我国在 80 年代中（ 85 年）。 国际上发展特点：专业化分工，我国发展特点：小而全，小作坊式。 技术条件： a.MO 源：难合成，操作困难。 b.设备控制精度：流量及压力控制 c.反应室设计： Vecco:高速旋转 Aixtron: 气浮式旋转 Tomax Swan :CCS 系统（结合前两种设备特点） Nichia: 双流式 2. MOCVD 组成 MO 源 控制单元 PC 机 载气 （H2 和 N2 ） 气控单元 反应室 尾气处理器 大气 特气 衬底 MO 源即 高纯金属有机化合物 是先进的金属有机化学气相沉积（简称 MOCVD ）、金属有机分子束外延 （简称MOMBE ）等技术生长半导体微结构材料的支撑材料。 由于 MO 源产品要求纯度极高， 而绝大多数 MO 源化合物对氧气、水汽极其敏感，遇空气可发生自燃，遇水可发生爆炸，且毒性大，所以 MO 源的研 制是集极端条件下的合成制备、超纯纯化、超纯分析、超纯灌装等于一体的高新技术。 纯度 在 99.999 －99.9999 常用 MO 源： TMGa( 三甲基镓，液态 ) TMAl （三甲基铝，液态） TMIn （三甲基铟，固态，现已