机能性分子及薄膜材料之制作及应用研究.pptVIP

下载本文档

0
0
约9.44千字
约 42页
2019-06-27 发布于浙江
举报
版权申诉

机能性分子及薄膜材料之制作及应用研究.ppt

1、本文档共42页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

ITO/CuPc/NPB/d-Alq/Mg:Ag 黃國柱實驗室白光元件鄭建鴻實驗室鄭建鴻實驗室 4.7 5.1 5.8 3.7 3.1 2.9 Alq3 MEH- PPV Mg:Ag ITO Device C 4.7 5.1 5.8 3.7 3.1 2.9 Alq3 MEH- PPV Mg:Ag ITO Device D 2.7 6.2 TPBI 4.7 5.1 2.9 MEH- PPV ITO Device A Heeger’s result (1991) Ca as cathode, ?ext ~1 % Al as cathode, ?ext ~0.001 % 2.9 (Ca) 4.3 (Al) Device ID Thickness (nm) Vto (V) Vdec (V) ?ext (%) Lum (cd/m2) MEH-PPV TPBI Alq3 at 100 mA/cm2 Max. of ?ext at 100 mA/cm2 Max. of Brightness B 60 -- -- 3.3 15.0 0.01 0.02 35 760 C 60 -- 40 4.5 19.5 0.48 0.49 1350 12177 D 50 10 40 3.8 22.0 0.81 0.81 2200 19283 4.7 5.1 5.8 4.3 3.1 2.9 Alq3 MEH- PPV 60nm Al ITO Choi et al, (1998) Maximum brightness 100 cd/m2 50nm 4.7 5.1 5.8 4.3 3.1 2.9 Alq3 MEH- PPV 70nm Al ITO Jin et al, (2000) Maximum brightness 100 cd/m2 82nm Literature results Device B 4.7 5.1 3.7 2.9 MEH- PPV ITO Mg:Ag 新型高分子發光材料及其元件韓建中實驗室 Pani-MEA 4.7 5.1 5.8 3.7 3.1 2.9 3.4 4.9 Alq3 MEH- PPV Mg:Ag ITO Device ID Structural difference Vto (V) Vdec (V) ?ext (%) Lum (cd/m2) EL characteristics ?max; CIE index at 8V at 100 mA/cm2 Max. of ?ext at 100 mA/cm2 Max. of Brightness E With Pani-MEA (5nm) 4.1 20.5 0.64 0.64 1800 15022 581 nm; (0.54, 0.46) F Without Pani-MEA 3.8 19.5 0.35 0.41 1000 12939 584 nm; (0.55, 0.45) 韓建中實驗室 Device ID Structural difference Vto (V) Vdec (V) ?ext (%) Lum (cd/m2) EL characteristics ?max; CIE index at 8V at 100 mA/cm2 Max. of ?ext at 100 mA/cm2 Max. of Brightness G With Pani-MEA (2nm) 4.3 19.0 2.10 2.15 7400 25724 522 nm; (0.28, 0.58) H Without Pani-MEA 3.3 16.5 1.01 1.09 3450 17976 522 nm; (0.27, 0.58) Pani-MEA 4.7 5.7 5.8 3.7 3.1 2.6 3.4 4.9 Alq3 NPB Mg:Ag ITO 韓建中實驗室金屬氧化物薄膜的製作及應用研究 Formula Mp.(oC) TG/DTA(%) Yield(%) Sublimation condition Ru-A4 Ru(nbd)(tmhd)2 126 99.6 60 65 oC /139 mtorr Ru-A5 Ru(nbd)(tfac)2 67,90,110 96.7 45 60 oC /140 mtorr Ru-A6 Ru(nbd)(hfac)2 82 97.0 55 45 oC /150 mtorr RuA4 RuA5 RuA6 釕金屬前驅物合成季昀實驗室 Thickness : 280 nm Resistivity : 15.7 μΩ-cm Composition : Ru : 98.2 / O : 1.8% 釕金屬