第四章_光辐射探测技术1.pptVIP

一般规定，Rf下降到 时的频率fc为探测器的响应频率或截止响应频率。 根据式(4-37)有： 式中R0为调制频率为零时的灵敏度；?为光探测器的响应时间。 频率灵敏度与调制频率f 的关系: (4-37) 探测器吸收的光子数和激发的电子数之比。如果P是入射到探测器上的光功率，Is是入射光产生的光电流，则N=P/hv表示单位时间入射光子平均数，Is／e表示单位时间产生的光电子平均数，则量子效率?为 ? 量子效率 式中Ri为电流灵敏度。量子效率是入射光波长的函数。 实际上，当探测器上的输入为零时，输出端仍有一个极小的输出信号。这个输出信号来源于探测器本身，这就是探测器的噪声，它的大小与探测器材料、结构、周围环境温度等因素有关。 ? 噪声等效功率NEP 由于噪声的存在，探测器的最小可探测功率受到了限制。为此引入等效噪声功率NEP来表征探测器的最小可探测功率。 噪声等效功率NEP定义：信号功率与噪声功率之比为1时，入射到探测器上的光功率。 当信噪比为1时，很难探测到信号。所以一般是在信号电平下测量信噪比，再由下式计算噪声等效功率 ： 或 (W) (W) 等效噪声功率是表征探测器对微弱信号的探测能力的参数,NEP越小探测器的探测能力越强。 根据 所以： ? 归一化探测率D* (比探测率、归一化探测度) 探测器的探测能力由NEP决定，NEP越小越好。这不符合人们参量的数值越大越好的习惯，于是定义NEP的倒数为探测器的探测率D 显然，D越大越好。 NEP还与探测器接受光的面积 （光敏面）的平方根成正比，与测量带宽 平方根成正比。为了便于比较各种不同探测器的性能，引入归一化探测率D* D*和NEP一样是入射光波长、调制频率及测量带宽的函数。为了明确，D*写成D*（?，f，?f）。若用500K黑体做为测量D*值的辐射源，通常记为D*（500K，f，?f）。f 为调制频率，通常取90、400、800、900Hz。?f为带宽，参考带宽为1Hz。 cm·Hz1/2·W-1 响应时间是描述光电探测器对入射辐射响应快慢的一个参数。 当入射辐射到光电探测器后，光电探测器的输出上升到稳定值或下降到照射前的值所需的时间称为响应时间,通常用时间常数的大小来表示。 ? 响应时间 第四章 光辐射探测技术 ? 基本要求 （1）掌握光电探测器的物理效应； （2）掌握常用光电探测器的基本特性； （3）了解光电探测器的性能参数。 ? 重点、难点 重点：光电探测器的物理效应。 难点：pn结光伏探测器的工作模式。 内 容 一、光电探测器的物理效应 二、光电探测器的性能参数 三、光电导探测器； 四、pn结光伏探测器 五、硅光电池 六、光电二极管 七、光热探测探测器 4.1 光电探测器的物理效应 1、光子效应和光热效应 2、光电发射效应 3、光电导效应 4、光伏效应 5、温差电效应 6、热电导效应 7、热释电效应 光辐射探测技术是光电子技术的一个重要组成部分。光辐射的探测过程是光探测器把光辐射转换成另一种便于测量的量的过程。在探测过程中，光探测器的作用是发现信号、测量信号，并为随后的应用提取某些必需的信息。从近代测量技术来看，电量不仅是最方便，而且最精确，所以，大多数光探测器都是直接或间接地把光辐射能量转换成电量来实现对光辐射的探测。 ? 光辐射探测技术概述 近年来，光电系统广泛应用于通信、雷达、测距、定位、制导、遥感、工业生产和科学研究等领域。在这些应用中都需要将光辐射信号转换成电信号(或图像信息)，光探则器是上述应用中实现光—电转换的关键元件，光探测器性能的优劣将影响整个探测系统的性能。 光探测器是利用光产生的各种物理效应，把入射光辐射信息转换成电信号的。光探测器的物理效应分为光电效应（或光子效应）和光热效应两大类。 1、光电效应和光热效应 （1）光电效应 光电效应是单个光子与电子直接作用的一类物理效应。当具有足够能量的光子入射到光电材料上时，原子或分子中的束缚态的电子吸收光子能量后跃迁，变为自由态。 光电效应可分为内光电效应和外光电效应。 对于内光电效应，入射光子激发的载流子仍保留在材料内部，而外光电效应是入射光子引起材料表面发射光电子，亦称为光电子发射效应。 ? 内光电效应和外光电效应 光热效应与光电效应不同，材料吸收光能量后不直接产生内部电子态的改变，而是先引起材料的温度升高,伴随着温升材料的某种物理性质发生变化，这种现象称为光热效应。 常用的光热效应有温差电效应、热释电效应、热电导效应等，利用其中一种效应就可以制出一类热探测器。 (2) 光热效应 材料温度升高 物理性质发生变化 输出信号 光照射在某些材料表面上时，如果光子能量hv足够大，就能够使表面发射出电子。这一现象叫做光电子