第9章+存储器接口.ppt

* 9.3.2 读操作过程 K9F1208的寻址分为4个cycle，分别是A[0:7]、A[9:16]、A[17:24]、A[25] 读操作的过程为：① 发送读取指令；② 发送第1个cycle地址；③ 发送第2个cycle地址；④ 发送第3个cycle地址；⑤ 发送第4个cycle地址；⑥ 读取数据至页末 K9F1208提供了两个读指令：“0x00”、“0x01”。这两个指令区别在于“0x00”可以将A[8]置为0，选中上半页；而“0x01”可以将A[8]置为1，选中下半页 读操作的对象为一个页面，建议从页边界开始读写至页结束 9.3 NAND Flash操作 * 9.3.2 读操作过程 K9F1208读操作流程如图 9.3 NAND Flash操作 * 9.3.3 擦除操作过程 擦除的操作过程为： ① 发送擦除指令“0x60”； ② 发送第1个cycle地址（A9～A16）； ③ 发送第2个cycle地址（A17～A24）； ④ 发送第3个cycle地址（A25）； ⑤ 发送擦除指令“0xD0”； ⑥ 发送查询状态命令字“0x70”； ⑦ 读取K9F1208的数据总线，判断I/O 6上的值或判断R/B线上的值，直到I/O 6?=?1或R/?=?1； ⑧ 判断I/O 0是否为0，从而确定操作是否成功。0表示成功，1表示失败。 擦除的对象是一个数据块，即32个页面。 9.3 NAND Flash操作 * 9.3.3 擦除操作过程 K9F1208擦除操作流程图 9.3 NAND Flash操作 * 9.3.4 写操作过程 写入的操作过程为： ① 发送编程指令“0x80”； ② 发送第1个cycle地址（A0~A7）； ③ 发送第2个cycle地址（A9～A16）； ④ 发送第3个cycle地址（A17～A24）； ⑤ 发送第4个cycle地址（A25）； ⑥ 向K9F1208的数据总线发送一个扇区的数据； ⑦ 发送编程指令“0x10”； ⑧ 发送查询状态命令字“0x70”； ⑨ 读取K9F1208的数据总线，判断I/O 6上的值或判断R/线上的值，直到I/O 6=1或R/?=1； ⑩ 判断I/O 0是否为0，从而确定操作是否成功。0表示成功，1表示失败。 注意：写入的操作对象是一个页面。 9.3 NAND Flash操作 * 9.3.4 写操作过程 K9F1208写操作流程图 9.3 NAND Flash操作 * 9.4.1 S3C2410X Nand Flash控制器概述 S3C2410x 可以实现从NAND Flash启动和引导系统，在SDRAM上执行主程序代码。 S3C2410x中的NAND Flash的特性有： 支持读/擦/编程NAND Flash存储器 支持自动引导模式：复位后，引导代码被送入Steppingstone，传送后，引导代码在Setppingstone中运行 具备硬件ECC产出模块 NAND Flash控制器工作机制 9.4 S3C2410X中Nand Flash控制器的操作 * 9.4.2 S3C2410X Nand Flash控制器寄存器详解 配置寄存器NFCONF （地址0x4E000000） 9.4 S3C2410X中Nand Flash控制器的操作 * 9.4.2 S3C2410X Nand Flash控制器寄存器详解 命令寄存器NFCMD（地址：0x4e000004） 地址寄存器NFADDR（地址：0x4E000008） 9.4 S3C2410X中Nand Flash控制器的操作 * 9.4.2 S3C2410X Nand Flash控制器寄存器详解 数据寄存器NFDATA（地址：0x4E00000C） 状态寄存器NFSTAT（地址：0x4E000010） 9.4 S3C2410X中Nand Flash控制器的操作 * 9.5.1 K9F1208和S3C2410X的接口电路 K9F1208和S3C2410X 的接口电路 9.5 S3C2410X Nand Flash接口电路与程序设计 * 9.5.2 S3C2410X NAND Flash寄存器设置 （1）控制器初始化时，需要使能控制器 设置UFCON的[15]为“1”。 （2）使能NAND Flash芯片 设置UFCON的[11]为“0”。 （3）通过NAND控制器向NAND Flash写入命令 设置NFCMD为要发送的命令。 （4）通过NAND控制器向NAND Flash写入地址 设置NFADDR为要发送的地址。 （5）通过NAND控制器向NAND Flash写入数据 设置NFDATA为要写入的数据。 9.5 S3C2410X Nan