第六章_电磁兼容课件-电缆-江滨浩.pptVIP

* 屏蔽静（低频）电场 0V 电缆长度 ?/20，单点接地 电缆长度 ?/20，多点接地 * 回路面积A VN VN ＝ ( d ? / dt ) = A ( dB / dt ) 磁通? 感应电压 当面积一定时 磁场对电缆的干扰 由于外界干扰场的频率和强度是 不受控的，应尽量减小回路的面积。 * ～ 理想同轴线的信号电流与回流等效为在几何上重合，因此电缆上的回路面积为0，整个回路面积仅有两端的部分 ～ 减小感应回路的面积 两个相邻的回路上感应出的电流具有相反的方向，因此相互抵销。双绞线的绞节越密，则效果越明显。 当屏蔽层两端接地时，外界磁场在原来信号与地线构成的回路中产生感应电流的同时，也在屏蔽层与地线构成的回路中产生感应电流Is，感应出的Is也会感应出磁场，但是这个磁场与原来的磁场磁场方向相反，相互抵消，导致总磁场减小，减小了干扰。 屏蔽电缆减小磁场影响 VS VS VS 只有两端接地的屏蔽层才能屏蔽磁场 * 100 1M 1M 1M 100 100 每米18节 (A) (B) (D) (E) (C) 0 27 13 13 28 1M 1M 100 100 抑制磁场干扰的试验数据 单端接地 非磁性材料的屏蔽套 磁性材料的屏蔽套 双绞线/单端接地 屏蔽层两端接地 * 抑制磁场干扰的实验数据 100 1M 1M 1M 100 100 每米18节 (F) (G) (I) (J) (H) 80 55 70 63 77 1M 1M 100 100 电缆的屏蔽层作为回流路径，大大减小了感应回路的面积 双绞线 H中的屏蔽层两端接地 H中的屏蔽层单端接地 * 导线之间两种串扰机理 M C IC IC IL IL R0 RL R2G R2L 接收导线的两端情况是不同的，在靠近信号源的一端，电容耦合产生的电流与电感耦合产生的电流方向相同，幅度叠加，而在远离信号源的一端，电容耦合产生的电流与电感产生的电流方向相反，幅度抵消。因此，近端的干扰较强。 * 耦合方式的粗略判断 ZSZL 3002： 磁场耦合为主 ZSZL 10002： 电场耦合为主 其它情况难说，取决于几何结构和频率 源电路阻抗ZS，接收电路的阻抗ZL * 电容耦合模型 C12 VN ＝ j ? [ C12 / ( C12 + C2G)] j ? + 1 / R ( C12 + C2G)] V1 C1G C2G R V1 C12 C1G C2G R V1 VN * R 1 / [ j ? ( C12 + C2G )] j ? [ C12 / ( C12 + C2G)] j ? + 1 / R ( C12 + C2G)] V1 VN ＝ VN = j ?R C12 V1 R 1 / [ j ? ( C12 + C2G )] VN = V1 [ C12 / ( C12 + C2G ) ] 耦合公式化简 频率很低的情况 频率、被干扰导体对地电阻、 两导体之间的电容成正比 频率很高的情况 与频率和电路的阻抗都无关。而仅与两个导体之间的电容和接收导体与地之间的电容有关 * 耦合电压 VN = j ?RC12V1 C12V1 (C12 + C2G) VN = 1 / R (C12 + C2G) 频率 ? 电容耦合与频率的关系 可以控制电容耦合的参数有三个：两个导体之间的电容C12 ，接收导体对参考地的电阻R ，接收电路对参考地的电容C2G 。其中，前两个参数在实践中最重要。在实践中，常通过降低接收电路的电阻来减小电容耦合。 VN = j ?R C12 V1 C12 C1G C2G R V1 * 屏蔽层不接地：相当于R无限大，应用R很大时的前面公式 VN = VS =V1 [ C1S / ( C1S + CSG ) ]，与无屏蔽相同 屏蔽层接地（此时R＝0）时：VN = VS = 0， 具有理想的屏蔽效果 C1s C1G CsG C1G CSG C1s Vs V1 V1 Vs C2S 屏蔽对电容耦合的影响－全屏蔽 * R 很大时：VN = V1 [ C12 / ( C12 + C2G + C2S ) ] C1s C1G CsG CSG C1s VN V1 V1 VN C2S C12 C12 C2G R 很小时：VN = j?RC12 部分屏蔽对电容耦合的效果 C12的大小取决于导体2在屏蔽体外的长度。要减小C12，就要使暴露出屏蔽层的导体长度尽量短 * 定义： 自感L ＝ ? 1 / I1 ， 互感 M ＝ ? 12 / I1 ? 1 是电流I1在回路1中产生的磁通， ? 12 是电流I1在回路2中产生的磁通