缺陷和非整比化合物(四).pptVIP

2.4 缺陷和非整比化合物 晶体缺陷 晶体结构缺陷的类型 分类方式： 　几何形态：点缺陷、线缺陷、面缺陷等。 　形成原因：热缺陷、杂质缺陷、非化学 计量缺陷等。 晶体缺陷的分类 点缺陷：发生在晶格中一个原子尺寸范围内的一类缺陷，亦称零维缺陷，例如空位、间隙原子等。 线缺陷：缺陷只在一个方向上延伸，或称一维缺陷，主要是各种形式的“位错”，例如晶格中缺少一列原子即形成线缺陷。 面缺陷：晶体内一个晶面不按规定的方式来堆积，部分偏离周期性点阵结构的二维缺陷，即在堆积过程中偶尔有一个晶面不按规定的方式来堆积，于是这一层之间就产生了面缺陷。 体缺陷：指在三维方向上相对尺寸较大的缺陷，例如完整的晶格中可能存在着空洞或夹杂有包裹物等，使得晶体内部的空间点阵结构整体中出现了异性形式的缺陷。 点缺陷 点缺陷 线缺陷 含义： 又称一维缺陷，位错(dislocation)。指在一维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列所产生的缺陷，即缺陷尺寸在一维方向较长，另外二维方向上很短。如各种位错。 线缺陷的产生及运动与材料的韧性、脆性密切相关。 位错 面缺陷又称为二维缺陷，是指在二维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列而产生的缺陷。如晶界、堆积层错等。 面缺陷的取向及分布与材料的断裂韧性有关。 　面缺陷－晶界