EAST环境下材料抗辐照性能研究.ppt

研究结果——CIP_W和CIP_WV 10 μm CIP-W 10 μm CIP-W5Ta 10 μm CIP-W5V 钒(V)的加入可以细化材料的组织和晶粒，提高钨基材料的机械性能，增强其抗中子辐照性能。在同一实验条件下，相比于纯W材料，W-V合金表面仅有某些区域出现气泡和裂纹。 裂纹 起泡区 孔洞 融化 刻蚀 刻蚀 研究结果——W_La2O3 50 μm W_La2O3 10 μm W_La2O3 部分氧化镧(La2O3)颗粒附近可看到明显的剥裂，可能是氘(D)在相界面（W基体与La2O3颗粒的相界面）处的大量滞留所引起。 裂纹 剥裂区 研究结果——小结 样品种类 受损区域 总区域 受损占比 裂纹长度 刻蚀区域 气泡区域 轧制态纯W 73357 158976 46% 3.88μm CVD纯W 7446 158976 4.6% 无 CIP纯W 42959 147832 29% 沿晶界开裂 CIP-W5Ta 12526 147832 8.4% 无 CIP-W10Ta 1594 147832 1% 无 CIP-W5V 9283 147832 6.27% 3.77μm 894 W_La2O3 60247 200162 30% 12.82μm 裂纹 刻蚀 孔洞 刻蚀 刻蚀 裂纹 裂纹 起泡 刻蚀 剥离 融化 研究结果——小结 轧制态纯W样品中晶粒取向杂乱，抗辐照性能较差。CVD纯W样品由于柱状晶(方向111)的存在使其抗开裂性能得以增强。 以CIP工艺制得的纯W样品由于致密度差，机械性能较弱，其抗开裂和融化性能也最差，表面出现大量孔洞和裂纹。 加入Ta和V的合金化材料其机械性能得以加强，相应的抗开裂和融化性能也大为提高，样品表面的孔洞和裂纹消失，仅存在刻蚀现象。 La2O3的加入使辐照后的D在相界面处滞留，引起表面的剥裂。 研究背景 实验参数 研究结果（第二部分） OUTLINE 研究小结 研究结果——石墨瓦等离子体刻蚀实验 研究结果——石墨瓦（带有SiC涂层）等离子体刻蚀实验 辐照前 辐照后 国产 进口 10 ?m 10 ?m 10 ?m 10 ?m 研究结果——石墨瓦等离子体刻蚀实验 国产 进口 无Si化（无SiC涂层） 表面Si化（带SiC涂层） 辐照前 辐照前 辐照前 辐照前 辐照后 辐照后 辐照后 辐照后 研究结果——石墨瓦等离子体刻蚀实验 ? 国产石墨带SiC层 进口石墨带SiC层 国内石墨基体 进口石墨 基体 辐照前/μm 174.0385 175.9615 240.2235 108.89/77.78 辐照后/μm 173.3382 175 231.0968 106.67/75.56 刻蚀深度/μm 0.7003 0.9615 9.1267 2.22/2.22 等离子体辐照前后标记长度与刻蚀深度总结 结论： 所有带有SiC涂层的样品被等离子体刻蚀不足1μm；SiC具有很好的耐等离子体辐照性能，与具体基体材料无关； 国产石墨基体被等离子体刻蚀了大约9μm，进口石墨基体被等离子体刻蚀了大约2μm，这可能与进口石墨基体具有更高的致密度有关。 研究结果——石墨瓦等离子体刻蚀实验 利用TDS设备对辐照前后的样品进行了出气情况分析。 辐照后 带SiC层 石墨 石墨基体 进口石墨中D2, D2O的脱附量总比国产石墨少； 对厚度仅1mm的石墨层，两种石墨中D2的脱附完成温度均高达900℃；从壁滞留的角度考虑，目前EAST石墨第一壁（厚2cm）烘烤温度（300℃）可能严重偏低！ 研究结果——结论 在EAST-MAPES环境下对钨基及其合金材料进行辐照损伤结果表明： 商业W材料由于其机械性能较好，其表面在抗开裂和融化方面表现优于其他工艺制备样品。 以CIP工艺制得的纯W样品在加入Ta和V之后，其抗开裂和融化性能也大为提高，样品表面的孔洞和裂纹消失，仅存在刻蚀现象。 La2O3的加入使辐照后的D在相界面处滞留，引起表面的剥裂，表明其抗开裂和融化性能较差。 以STEP为平台模拟EAST环境下石墨瓦的等离子体刻蚀结果表明： 带有SiC涂层的石墨样品抗刻蚀能力较强，国外样品比国内样品的抗刻蚀能力强。 国外石墨样品的D2, D2O滞留量对比国内样品要少；而D2的脱附完成温度高达900℃，从壁滞留的角度考虑，目前EAST石墨第一壁（厚2cm）烘烤温度（300℃）可能严重偏低！ * EAST-MAPES钨基合金辐照损伤和EAST石墨瓦等离子刻蚀研究 研究背景 实验参数 研究结果 OUTLINE 研究小结 研究背景 实验参数 研究结果 OUTLINE 研究小结 研究背景 利用MAPES（中平面材料辐照系统）开展的短期辐照实验 样品在放电期间内安装，一般头一天放电结束后即可安装 辐照时间一般为1-n天，可以进行特定参