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谢谢！ 谢谢！ 谢谢！ 谢谢！ 谢谢！ 谢谢！ 谢谢！ 主要内容 ESD的产生原理 几种常见的ESD模型 ESD的防护 ESD防护器件的摆放 ESD的产生原理 ESD：Electrostatic Discharge，即是静电放电 通过摩擦使得A物体的电荷移动，从而A带有静电； A周边的电磁场发生改变，导致A带有静电； 当A接触B时，A的静电流入B。 ESD的放电过程很短，一般是ns级别，但是放电瞬间会产生很高的电流 几种常见的ESD模型 人体放电模型(Human-Body Model, HBM) 机器放电模型(Machine Model, MM) 元件充电模型(Charged-Device Model, CDM) 电场感应模型(Field-Induced Model, FIM) 几种常见的ESD模型人体放电模型(Human-Body Model, HBM) 人体放电模型(HBM)的ESD是指人体在地上走动摩擦或其他因素在人体上累积了静电，当此人去触碰IC时，人体上的静电便经由IC的pin脚进入IC内部，再经由IC内部放电到地。 放电过程会在几百ns的时间内产生数安培的瞬间放电电流，此电流可能会把IC内的元件给烧毁。 几种常见的ESD模型人体放电模型(Human-Body Model, HBM) 几种常见的ESD模型人体放电模型(Human-Body Model, HBM) 工业标准 MIL-STD-883C method 3015.7 中HBM的等效线路图，其中人体的等效电容定义为100pF,人体的等效放电电阻定义为1.5kohm 几种常见的ESD模型机器放电模型(Machine Model, MM) 机器放电模型的ESD是指机器本身也积累了静电，当此机器去触碰IC时，静电便经由IC的pin脚放电。 机器放电的放电过程时间更短，在几十ns的时间内会有数安培的瞬间放电电流产生。 工业标准 EIAJ-IC-121 method 20 中MM的等效电路图，其中机器的等效电容定义为200pF，机器的等效放电电阻为0ohm 几种常见的ESD模型机器放电模型(Machine Model, MM) 人体放电模型2kV和机器放电模型200V的放电电流比较图 几种常见的ESD模型机器放电模型(Machine Model, MM) 几种常见的ESD模型元件充电模型(Charged-Device Model, CDM) 元件充电模型是指IC本身先因摩擦或其它因素而在IC内部累积了静电，但在静电累积的过程中IC并未损伤。在处理此IC的过程中，IC的pin脚触碰到了地，IC内部的静电便经由IC内部的pin脚流出来，而造成了放电现象。 此种模式的放电时间更短，仅约为几ns，而且放电现象更难以被真实的模拟。因为IC内部积累的静电会因IC内部的等效电容的不同而改变。 几种常见的ESD模型元件充电模型(Charged-Device Model, CDM) 两种常见的CDM的放电情况 几种常见的ESD模型元件充电模型(Charged-Device Model, CDM) CDM测试标准 几种常见的ESD模型元件充电模型(Charged-Device Model, CDM) HBM 2kV,MM 200V,CDM 1kV三种模型的放电电流比较图 CDM更容易造成IC的损伤 几种常见的ESD模型电场感应模型(Field-Induced Model, FIM) FIM的静电放电是因电场感应而引起的。当IC因传输带或其它因素，经过一个电场时，其相对极性的电荷可能会从IC的pin脚排放掉，这样当IC通过电场以后，IC便累积了静电。此静电再以类似CDM放电模型的情况放电出来。 ESD的防护 器件选型时必须认证ESD等级 IO接口线路上摆放ESD防护器件 做好EMI防护 ESD的防护 常用的ESD防护器件：二极管阵列 ESD的防护 ESD防护器件的一般连接方式 ESD的防护 ESD防护器件可以有效的抑制由ESD放电产生的直接电荷注入 PCB设计中更重要的是克服放电电流产生的电磁干扰效应----EMI 措施：通用的PCB板布线准则；ESD防护器件的摆放位置 ESD防护器件的摆放 ESD电流路径上寄生自感的影响 被保护IC所承受的电压 Vx 其中VF1为D1的正向导通电压 ESD防护器件的摆放 在PCB 布线时，遵循几个简单的规则就可以使这些寄生自感最小： 1、尽可能地，用Vcc 和地平面充当电源和地分散能量。 2、要确保印刷电路上的走线—从ESD 保护二极管阵列的Vp 和Vn 到Vcc 和地平面间走线尽量地短、宽。理想情况是，将Vp 和Vn 直接通过多个口连到Vcc 和地平面。 3、在Vp 和地平面间连入一个高频旁路电容---用最短