三极管特性曲线.ppt

* 交流放大系数： （以上系数在讨论小信号的变化量时使用） 当 基本不变（或在IE的一个相当大的范围内）时，有： * 2、极间反向电流： ICEO = (1+β) ? ICBO 其中: ICBO 指发射极开路时，集电极与基极间的反向饱和电流;ICEO 又叫ICEO(pt)，指基极开路时，集电极与发射极间的穿透电流。 * 3、特征频率fT fT是反映晶体管中两个PN结电容的影响的参数 当输入信号的频率增高到一定值后，结电容将起到明显的作用，使β下降，因此， fT是指使β下降到1时输入信号的频率。 * B E C N N P ICBO ICEO= ? IBE+ICBO IBE ? IBE ICBO进入N区，形成IBE。 根据放大关系，由于IBE的存在，必有电流?IBE。 集电结反偏有ICBO 集-射极反向截止电流ICEO ICEO受温度影响很大，当温度上升时，ICEO增加很快，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。 * 4、极限参数 （1）集电极最大允许电流ICM： 在Ic的一个很大范围内，β值基本不变，但当Ic超过一定数值后，β值将明显下降，此值就是ICM。 （2）集电极反向击穿电压U(BR)EBO、U(BR)CBO、U(BR)CEO U(BR)EBO：集电极开路时，射一基极间的反向击穿电压，这是发射结允许的最高反向电压，一般为1V～几伏。 * U(BR)CBO：发射极开路时，集-基极间的反向击穿电压，即集电结所允许的最高反向电压，一般为几十～几千伏。 U(BR)CEO：基极开路时，集-射极间的反向击穿电压。 一般地：U(BR)CBOU(BR)CEO （3）集电极最大允许功率损耗PCM：PCM = Ic·UCE PCM决定于管子允许的温升，管子在使用时的功耗不能超过PCM，而且要注意散热，Si管为150℃，Ge管为70℃即为上限温度。 * 集电极最大允许功耗PCM 集电极电流IC 流过三极管， 所发出的焦耳 热为： PC =ICUCE 必定导致结温 上升，所以PC 有限制。 PC?PCM IC UCE ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作区 * 六、晶体三极管的应用 作为三端器件的晶体三极管是伏安特性为非线性的有源器件，工作在放大区时具有正向受控作用，等效为一个受控电流源，而工作在饱和区和截止区时具有可控开关特性。这种非线性和可控性（正向受控和可控开关）是实现众多功能电路的基础，或者说，众多的应用电路都是以三极管为核心，配以合适的管外电路组成的。 利用三极管组成的电路可以有： 放大电路、电流源、跨导线性电路、有源电阻、可控开关等。 * 例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？ 当USB =-2V时： IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE IB=0 ， IC=0 IC最大饱和电流： Q位于截止区 * 例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？ IC ICmax (=2mA) ， Q位于放大区。 IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE USB =2V时： * USB =5V时: 例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？ IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE Q 位于饱和区，此时IC 和IB 已不是 ? 倍的关系。 * 七、三极管的等效电路模型 我们将在放大电路分析中再讲，以免重复。 * §1-5-3 晶体三极管的伏安特性曲线 晶体管的伏安特性曲线是描述三极管的各端电流与两个PN结外加电压之间的关系的一种形式，其特点是能直观，全面地反映晶体管的电气性能的外部特性。 晶体管的特性曲线一般用实验方法描绘或专用仪器（如晶体管图示仪）测量得到。 晶体三极管为三端器件，在电路中要构成四端网络，它的每对端子均有两个变量（端口电压和电流），因此要在平面坐标上表示晶体三极管的伏安特性，就必须采用两组曲线簇，我们最常采用的是输入特性曲线簇和输出特性曲线簇。 *  输入特性是指三极管输入回路中，加在基极和发射极的电压UBE与由它所产生的基极电流IB之间的关系。 （1）UCE = 0时相当于集电