电力电子器件及共性问题.pptVIP

29.1 典型全控型器件 绝缘栅双极晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor— —IGBT或IGT） *** GTR的特点 双极型，电流驱动，有电导调制效应，通流能力很强，开关速度较低，所需驱动功率大，驱动电路复杂。 *** MOSFET的优点 单极型，电压驱动，开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小而且驱动电路简单。 IGBT 是将GTR和MOSFET取长补短结合而成的复合器件，具有好的特性，已是市面上的主导器件。 29.1 典型全控型器件 绝缘栅双极晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor— —IGBT或IGT） *** IGBT的符号及控制方式 压控器件，通断由栅射极电压UGE决定。 导通：UGEUGE(th)时，MOSFET内形成沟道; 为晶体管提供基极电流，IGBT导通。 导通压降：电导调制效应使电阻RN减小, 使通态压降小。 关断：栅射极间施加反压或不加信号时，MOSFET 内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT关断。 29.1 典型全控型器件 绝缘栅双极晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor— —I