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保护措施 常见的保护措施有： 一、跳线法。 保护措施 二、添加“天线”器件；给“天线”加上反偏二极管。通过给直接连接到栅的存在天线效应的金属层接上反偏二极管，形成一个电荷泄放回路，累积电荷就对栅氧构不成威胁，从而消除了天线效应。 三、插入缓冲器，切断长线来消除天线效应。 授课内容 玷污 干法腐蚀 可动离子玷污 电子科技大学成都学院 4.2玷污 是由于芯片在制造过程中，或是在使用中，被污染物污染，或是沿着金属管脚与塑封的界面渗入污染芯片。 4.2.1干法腐蚀 在潮湿的环境中，铝金属系统被离子污染物腐蚀（磷酸、卤素离子等）。 最终导致电路开路失效。 保护措施 添加电路保护层； 减少保护层中开孔 的数目和大小。 4.2.2可动离子玷污 大多数污染物在室温中被束缚在氧化物大分子中无法移动，但是碱金属在室温中可以在二氧化硅中自由移动，称为可动离子玷污，钠离子就是其中之一。 影响：可动离子玷污使得器件的阈值电压缓慢漂移，最终导致电路参数超过限定值，会引起器件长期失效。 4.2.2可动离子玷污 保护措施 减小在芯片制造过程中带入的污染物； 使用掺磷的多晶硅栅； 使用氮化硅或者是掺磷玻璃构成的保护层； 减少保护层开孔； 使用足量的划封。 授课内容 表面效应 热载流子注入 雪崩诱发?衰减 齐纳蠕变 寄生沟道和电荷分散 电子科技大学成都学院 4.3 表面效应 具有高强度的表面区域会向上的氧化层注入热载流子。表面电场还能诱生寄生沟道。这两种都发生在硅与氧化层之间的界面，因此统称为表面效应。 4.3.1热载流子注入 原因：由于硅表面有强电场，强电场产生热载流子具有足够能量进入氧化层，这种机制成为热载流子注入。 热载流子注入的影响 热载流子注入会导致阈值电压逐渐减少，这种阈值漂移减少了增强型NMOS晶体管的阈值电压，但是增大了增强型PMOS晶体管的阈值电压。 保护措施 重新设计受影响的期间； 选择器件的工作条件； 改变器件的尺寸减少阈值电压漂移。 对偏压器件在200—400°C烘烤可复原。 4.3.2齐纳蠕变 原因：雪崩产生的部分热载流子注入到氧化物中，破坏硅-氢键，重新生产氧化层固定电荷。 保护措施 使用掩埋齐纳管； 使用场板。 4.3.5寄生沟道和电荷分散 由于硅表面可能诱生寄生沟道，比如两个扩散区之间，两个阱之间等，都可能引起寄生沟道，即使很小的电流电路参数的偏移。 4.3.5寄生沟道和电荷分散 诱发沟道不仅只有导体下面才能，当有了合适的源区和漏区时，即使没有导体当栅极，沟道同样也能诱发，那么这种潜在的机制称为电荷分散。 静态电荷存在于绝缘界面，它们可以沿着绝缘体表面或是沿着两种不同的绝缘体之间的界面积累。有电场的情况下会在电场的作用下缓慢移动。 4.3.5寄生沟道和电荷分散 寄生沟道和电荷分散 在CMOS工艺和标准双极工艺中，由于制造工艺等原因，标准双极工艺比CMOS工艺更容易受到影响。 保护措施 标准双极工艺 由于电荷分散效应，双极器件容易形成寄生PMOS沟道。 保护措施 插入沟道终止能阻止寄生沟道，但是无法阻止电荷分散； 插入场板既能阻止寄生沟道，又能阻止电荷分散。 保护措施 在两个场板之间的空隙仍能存在寄生沟道。 一、插入带有凸边的场板； 二、用沟道终止桥接场板的空隙； 保护措施 保证器件即使在最差的环境中也能正常工作，以提高器件的可靠性。 凸边 高压集电极 低压集电极 保护措施 CMOS和BICMOS工艺 对于PMOS，当多晶硅连线穿过N阱时，会诱生寄生沟道。 保护措施 对于NMOS，如果高压连线通过轻掺杂P型外延层，那么寄生NMOS的源漏由邻近的N阱组成。 表面效应 退出 电子科技大学成都学院 确定退出本课件？ 是 否 播放 电过应力 玷污 寄生效应 授课内容 电过应力 静电泄放 介质击穿 电迁徙 天线效应 电子科技大学成都学院 电过应力：由对器件施加过大的电压 或是电流而引起的失效。 4.1.1静电泄放(ESD) 静电泄放(ESD) 带静电荷物体与非带电导体接触时，带电体通过非带电体放 电称为静电放电(ESD)。 ★ 常见的静电模型 一、人体模型 二、机器模型 三、充电器件模型 一、带电人体放电模型（HBM） 电荷转移到器件或通过器件 对地放电，这种放电形式用 人体模型(左图)描述。 放电主要形式为电弧放电 几百ns，数A至数十A 。 二、机器模型 (MM) 机器（例如机械手臂）本身累积了静电，当此机器去碰触IC时，该静电便经由IC的pin放电。 几百ns，数A。 三、带电器件的静电放电模型（CDM） 器件管脚与地接触，放电带电器件模型 放电过程中，各管脚存在差异，产生电热差，造