电介质与介电特性_击穿.pptVIP

* 固体介质的电击穿 3.1本征电击穿 击穿时电子（q）单位时间从电场 EB 获得的能量： 则有： m* 为电子有效质量，? 为电子的平均自由行程时间（松弛时间） ① 温度升高、电子与晶格碰撞频繁，平均寿命愈短，晶体的击穿场强升高。 ② 杂质会引起晶体点阵发生畸变，使得电子与晶格的碰撞机会增多，使本征击穿场强增高。 ③ EB 一般与试样厚度无关，但当试样的厚度极薄，小于电子的平均自由程时，电子尚未充分加速就达电极，使介质本征击穿场强增高。 * 固体介质的电击穿 3.2 “雪崩”击穿 强场下隧道电流随场强增大而迅速增大。 隧道电流与禁带宽度密切相关，禁带狭窄时，较低场强下有很大隧道电流。由于电介质禁带宽度较宽，故场强低于109V/m时，难以发生隧道击穿。 （1）隧道击穿 由于隧道效应使介质中电流增大，介质失去绝缘性能的现象。 * 固体介质的电击穿 （2）碰撞电离击穿 电子的四十代增殖理论：由阴极出发的初始电子，在其向阳极运动的过程中，1cm内的电离次数达到? =40次，产生2? =1012个新电子时，介质便发生击穿。 介质厚度很薄时，碰撞电离不足以发展到四十代，电子崩已进入阳极复合时，介质就不能击穿，此时介质击穿场强将要提高。 * 固体介质的电击穿 3.3 聚合物中的空间电荷及击穿模型 （1）产生方式 电导——介质中电荷的移动 注入——电极发射电荷