模拟集成电路设计原理-试题库1.pdfVIP

《模拟集成电路设计原理》试卷(答题卷) （1） 一、填空题（共30 分，每空格1 分） 1. MOSFET 是一个四端器件，现在大多数的CMOS 工艺中，P 管做在_____中，并且，在大 多数电路中，P 管的衬底与______ （高或低）电平相连接，这样连接的原因是使得 _________________________________________________。 2. 对增强型 NMOS 来说，让其处于饱和时的条件为_____________________________