周梦华英文译本.docx

译 文 原文题目：Defect-induced conductivity anisotropy in MoS2 monolayers 译文题目：二硫化钼膜缺陷引起的电导率各向异性 学 院： 理学院 专业班级： 12级应用物理学02班 学生姓名： 周梦华 学 号： 41208020222 二硫化钼膜缺陷引起的电导率各向异性 马蒂股尔巴尼—阿塞勒1， 安德雷恩亚森2，3，阿格尼兹卡库克1，戈特哈德 塞弗特2托马斯海因1 1工程与科学学院，不莱梅雅各布布大学，不莱梅校园环1，28759，德国2物理化学，德累斯顿工业大学，01062山路66b德累斯顿，德国3固态化学研究所，澳洲巴拉瑞特大学皇家天文协会，五一道俄罗斯叶卡捷琳堡。 （收稿2013年10月4日，公布2013年12月26日） 在单层二硫化钼的各种类型的缺陷和它们对电子结构的影响以及输运性质已被研究使用，使用的方法是与格林函数方法相结合的密度函数为基础的紧束缚法。在单层二硫化钼的内在缺陷显着影响其电子性能。即使在低浓度，他们也大大改变量子电导率。在原始的二硫化钼上电子转移实际上是的各向同性的，各向异性是存在缺陷的观察。局部的带隙位置是半导体二硫化钼电子态观察，发现不利于导电但方向相关的散射电流，并指出，在线缺陷和选定的晶界模型的电导率是强烈的降低的。 一、引言 石墨烯1的崛起推出二维时代的（2D）电子设备，推动了一层或几层原子层厚度的电子器件的制造。石墨烯具有特殊的力学和电学性能以及壮观的物理现象，例如，狄拉克费米子2。然而，在三维（3D）电子产品中，各种设备的成功制造需要进行导电、绝缘和半导电材料的组合，具有可调特性。一类二维半导体和半金属是过渡金属硫化物（过渡金属硫化物）。其最突出的代表二硫化钼，二硫化钼是直接带隙半导体（? = 1.8 eV）的单层（机器语言）形式。二硫化钼-机器语言基础设备的开拓性的测量已显示室温迁移率大约是200cm2 V s?1，当二氧化铪膨胀到氧化铪基时，它降低到0.1–10cm2 V s?1的范围之内会沉积在二氧化硅上6。各种电子设备已在二硫化钼-机器语言基础设备上制作，包括薄膜晶体管6–8，逻辑电路9，放大器10和光电探测器11。它已经表明二硫化钼-机器语言基础设备可以很容易地通过掺杂调整12 – 14，弯度15或管形成16，17，拉伸应变18，或内在的缺陷19–22。 二硫化钼的化学性质和结构完整性取决于制造过程。膜可以生产，遵循自上而下的方法，从天然二硫化钼晶体的微机械剥离法3，6，插层剥离23基础，或对规模较大，液相剥离技术24。另一方面，化学气相沉积（CVD）是一个自下而上的过程，它提供了一个可控的材料生长与所需数量的层上的兴趣，例如在二氧化硅25和石墨的单原子26层基板上。 二硫化钼-机器语言在这种不同的方法制备中含有许多缺陷，包括阳离子或阴离子空位，位错，和晶界。这些缺陷显着影响运输25以及这些材料的光学性质27。例如，已经发现，在CVD中的二硫化钼的最大事业迁移率可以高达0.02cm2 V -1 S-1，25而机械地剥离的机器语言表明0.1-10cm2 V-1S-1 1，6伏范围的流动性。汤格等人27发现点缺陷导致的二硫化钼-机器语言发光强度的一个新的高峰光电效应和增强。这些影响归因于他们的俘获电位为自由电荷载体和局部激子。 缺陷可以作为操作二硫化钼性能的一种手段，相似于半导体掺杂中的化学杂质，周鸿祎20等人表明，硫和三硫化钼空位可以在化学气相沉积二硫化钼机器语言扩展电子辐照产生的。这表明，控制缺陷工程允许剪裁，即使是局部的二硫化钼的电子性质。 在该层的结构缺陷，可以出现在不同的类型，如点空缺，晶粒边界，或拓扑学缺陷。点空缺是本机的一个固有缺陷，进行了研究，无论在理论上13,28–30还是实践上20,周20等人最近的实验表明，双空位只有随机观测，而单空位更频繁地出现在二硫化钼-机器语言内在缺陷可以创建在不消除晶格原子的条件下。例如，通过石威尔士旋转和重建层内的结合力20，邹31等人通过第一性原理计算预算出二硫化钼-机器语言晶界可以形成叠加甚至折环，根据旋转角度和化学计量，已被实验22证实的线缺陷，通过阿塞勒21等人建议，介绍了二硫化钼-机器语言基础设备中的一面镜子，从而形成反演域。勇等人32表明一个有限原子线硫空位创建的二硫化钼表面可以作为一个伪电子运输做弹道线。 到目前为止，直接测量缺陷的影响在电子结构和输运性质上已是不