第1章 半导体二极管及其应用电路.pptVIP

《模拟电子技术》 制作：郑 敏 二00五年五月 第1章 半导体二极管及其应用电路 本章主要内容： 1.1 半导体的基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 特殊二极管 1.4 半导体二极管的应用 1.5 本章小结 1.1 半导体的基础知识 1.1.1 半导体的导电特性 1.1.2 PN结 1.1.1 半导体的导电特性 自然界中的各种物质按其导电性能的不同可划分为：导体、半导体和绝缘体。 一、半导体的特点 （1）热敏性 （2）光敏性 （3）掺杂性 在外电场或其他能源的作用下，邻近的价电子和空穴产生相对的填补运动。这样，电子和空穴就产生了相对移动，它们的运动方向相反，而形成的电流方向是一致的。由此可见，本征半导体中存在两种载流子：电子和空穴，而导体中只有一种载流子：自由电子，这是半导体与导体的一个本质区别。 1.1.2 PN结 一．PN结的形成 多数载流子因浓度上的差异而形成的运动称为扩散运动，如图1-6所示。 1.2 半导体二极管 1.2.1 二极管的结构及其在电路中的符号 1.2.2 二极管的伏安特性曲线 1.2.3 二极管的主要参数 1.2.4 二极管的命名与分类 1.2.5 二极管的判别 1.2.1 二极管的结构及其在电路中的符号 半导体二极管是在一个PN结的两个区引出两个电极引线，并用一定的外壳封装而制成的。其结构示意图、常用电路符号及常见外型符号如图1-10所示。 1.2.2 二极管的伏安特性曲线 所谓伏安特性是指二极管两端的电压U与流过二极管电流I的关系。 一．正向特性 是指二极管两端外加正向电压时，电流和电压的关系称为二极管的正向特性，如图1-12中曲线A所示。 1.2.3 二极管的主要参数 器件的参数是对其特性的定量描述，是正确使用和合理选择器件的依据。普通二极管的主要参数有以下几个： 一、二极管的直流参数 （1）最大整流电流IFM （2）最高反向工作电压URM （3）反向电流IR （4）直流电阻RD（物理意义如图1-16a所示） 1.2.4 二极管的命名与分类 一、半导体二极管的命名方法 二极管的种类繁多，国内外都采用各自的命名方法加以区别。我国国产半导体器件的命名方法采用国家GB249-74标准。 半导体的型号由5部分组成，其型号组成部分及各部分的表示符号和其意义见附录一。如2AP6，“2”表示电极数为2，“A”表示N型锗材料，“P”表示普通管，“6”表示序号。 1.2.5 二极管的判别 一、判别方法： 识别法：通过二极管管壳上的符号、标志来识别。如果管壳上没有符号或标志不清，就需要用万用表进行检测。 检测法：选用万用表的欧姆档，量程为R×100Ω或R×1kΩ档测量其正反向电阻（一般不用R×1Ω档，因为电流太大；而R×10kΩ档的电压太高，管子有被击穿的危险）。测试方法见图1-17。 1.3 特殊二极管 1.3.1 硅稳压二极管 1.3.2 光电二极管和光电池 1.3.3 发光二极管和光电耦合器 1.3.1 硅稳压二极管 稳压二极管是一种特殊工艺制造的结面型硅二极管。它是利用PN结反向击穿时，流过PN结的电流在很大的范围内变化，而管子两端的电压基本不变的特点来实现稳压的。稳压二极管通常工作在反向击穿状态。 1.3.2 光电二极管和光电池 一、光电二极管 光电二极管又称光敏二极管，是一种将光信号转换成电信号的特殊二极管，可用作为光的检测。它的结构与普通二极管类似，但和普通二极管不同的是，它的PN结是在反向偏置状态下运行。 图1-20中，图（a）是光电二极管的代表符号，图（b）是它的特性曲线。其主要特点是：它的反向电流与照度成正比。 1.3.3 发光二极管和光电耦合器 一、发光二极管 发光二极管是一种将电能转换成光能的特殊二极管，简写成LED（英文Light Emitting Diode的缩写），其代表符号如图1-23所示。 发光二极管是一种电流控制器件，发光二极管常用作显示器件。 应用电路举例如图1-24所示： 1.4 半导体二极管的应用 1.4.1 整流电路 1.4.2 检波电路 1.4.3 限幅电路 1.4.4 钳位电路 1.4.1 整流电路 将交流电转换成单向脉动直流电的过程称为整流。简单的半波整流电路如图1-26（a）所示。 将二极管视为理想二极管，假设输入电压ui为正弦波，在ui的正半周（即ui＞0）时，二极管因正向偏置而导通，输出电压uo = ui ；在ui的负半周（即ui ＜0）时，二极管因反向偏置而截止，输出电压uo=0。