电子技术基础第六章晶闸管.pptVIP

所以GK之间存在单向导电性 ，且正向电阻几百到几千欧，反向电阻∞ 。 思考：若GK正向电阻为∞，反向电阻仍然为∞，GK之间是否开路了？ GA之间为两个PN结反向串联，所以其两端的电阻值为∞。 思考：若AG之间电阻约为0欧或AK之间电阻仍然约为0欧，是否可以说明AG或AK被击穿了？ 答案：是 说明：可控硅损坏。 正向特性 IG=0时，器件两端施加正向电压，只有很小的正向漏电流，正向阻断状态。 正向电压超过正向转折电压Ubo，则漏电流急剧增大，器件开通。 随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低。 晶闸管本身的压降很小，在1V左右。 2) 反向特性 施加反向电压时，伏安特性类似二极管的反向特性。 反向阻断状态时，只有极小的反相漏电流流过。 当反向电压达到反向击穿电压后，可能导致晶闸管发热损坏。 （1）选择额定电流的原则 在规定的室温和冷却条件下，只要所选管子的额定电流有效值大于等于管子在电路中实际可能通过的最大电流有效值 即可。考虑元件的过载能力，实际选择时应有1.5~2倍的安全裕量。计算公式为： （2）选择额定电压的原则 选择普通晶闸管额定电压的原则应为管子在所工作的电路中可能承受的最大反向瞬时值 电压 的2~3倍，即 双向晶闸管在第Ⅰ和第Ⅲ象限有对称的伏安特性。 2 普通晶闸管的选择原则 1 双向晶闸管 双向晶闸管从结构和特性来说，都可以看成是一对反向并联的普通晶闸管。在主电极的正、反两个方向均可用交流或直流电流触发导通。 6.3.1几种常用的晶体管 双向晶闸管的型号： 可控硅调光电路 电位器POT1和电阻R1、R2 与电容C2构成移相触发网络， 当C2的端电压上升到双向触发二极管D1的阻断电压时， D1击穿，双向可控硅TRIAC被触发导通，灯泡点亮。 调节POT1可改变C2的充电时间常数，改变了流过灯泡的电流， 结果使得白炽灯的亮度随着POT1的调节而变化 2 高频晶闸管和快速晶闸管 快速晶闸管和高频晶闸管与普通晶闸管没有本质的区别， 只是导通与关断的转换速度较快，并且高频晶闸管的工作 频率较高。典型应用有：逆变器、斩波器、感应加热、 各种类型的强迫换流器、电焊机等。 3 可关断晶闸管 可关断晶闸管（GTO）的3 个电极也称为阳极、阴极和控制极， 其特点是：在阳极与阴极之间加正向电压，同时门极与阴极之 间有正向触发电压时，才导通；一旦导通之后，即使撤销门极 触发电压也不影响其导通；与普通晶闸管不同的是，在门极加 负电压时就可关断导通的晶闸管。可关断晶闸管的应用与普通 晶闸管类似。 典型应用有：交直流开关、交直流电机控制、逆变器、变频器、 UPS 电源等。 6.3.2晶闸管的典型电路 单只晶闸管交流调压电路 * 第六章晶闸管 1 概述 2 晶闸管的工作原理 3 几种常用的晶体管 晶闸管 6.1 概述 晶闸管（Thyristor）：晶体闸流管，可控硅整流器（Silicon Controlled Rectifier——SCR） 1956年美国贝尔实验室发明了晶闸管 1957年美国通用电气公司开发出第一只晶闸管产品 1958年商业化 开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应用的崭新时代，使半导体器件的应用由弱电领域扩展到强电领域。 20世纪80年代以来，开始被全控型器件取代 晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极：阳极，阴极和门极； 晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。 KP平板型普通可控硅（晶闸管）(200A-5000A) KK平板型快速可控硅（晶闸管)(5A-3000A) MTC普通可控硅模块(水冷/风冷）(25A-1000A) ZP螺旋型普通整流管(5A-500A) KP螺旋型普通晶闸管(5A-500A) 可控硅调压器PAC60A（感性负载） 单相、三相整流桥模块 6.2.1晶闸管的工作原理 A（阳极） K(阴 极) G（门极） P N P N A K G P N P N K G A（阳极） 单向可控硅的GK结是1个二极管 P N P N K G 答案：是！ 说明：可控硅损坏。 P N P N A K G AK之间是三个PN结反向串联，其阻值仍然为∞。 P N P N A K G P1 P2 N1 N2 K G A 晶闸管相当于PNP和NPN型两个晶体管的组合 K A T2 T1 + _ P2 N1 N2 IG IA P1 N1 P2 IK G P1 P2 N1 N2 N1 P2 A G K T1 T2 A K G EA 0、EG 0 EG EA + _ R 6.2.2晶闸管导通的条件 由电