医学影像学课件_PN结.pptVIP

* 三、PN结 PN结：在P型和 N型半导体的交界面附近，形成一个具有独特的物理特性的结。 1、PN结的形成 N型半导体： 整体电中性（磷正离子、电子带负电），载流子中电子浓度高于空穴。 P 型半导体： 整体电中性（硼负离子、空穴带正电），载流子中空穴浓度高于电子。 P N 1)两种载流子的运动 扩散运动：高浓度载流子向低浓度载流子一侧的扩散运动，使耗尽层变宽。 漂移运动：低浓度载流子向高浓度载流子一侧的漂移运动，使耗尽层变窄。 动画演示1-2 PN结的形成 2)空间电荷区（耗尽层）： 由于扩散运动，在P 型和 N型半导体的交接面附近，形成了空间电荷区（电子、空穴复合），它是个高阻区，又称阻挡层，内部无载流子。 3)内电场的形成： 由于扩散运动形成了空间电荷区，电荷区两侧的正负离子形成了内电场如上图所示。在电场力作用下，少数载流子发生漂移。 特点： 内电场阻碍了扩散运动，加强了漂移运动。 4）PN结形成： PN结中扩散运动和漂移运动相互依存，相互矛盾，开始时，扩散运动占优势，空间电荷区不断加宽，内电场不断增强，扩散运动不断减弱，漂移运动却逐渐增强，当二者趋于平衡时，空间电荷区的厚度不再变化，形成了PN结。 动画再次演示 PN结的形成 PN结形成小结 1)PN 型半导体特点 2)两种载流子及两种运动形式 3)空间电荷区形成 4)内电场 5)PN 结形成 PN结具有单向导电性，若外加电压使电流从P区流到N区，PN结呈低阻性，所以电流大；反之是高阻性，电流小。 ??? 如果外加电压使：??? PN结P区的电位高于N区的电位称为加正向电压，简称正偏；??? PN结P区的电位低于N区的电位称为加反向电压，简称反偏。 PN结单向导电性引言： 2、PN结的单向导电性 1）PN结加正向电压时： P区接电源正端，N区接电源负端 耗尽层 外电场 内电场 PN结正偏 内电场 耗尽层 减弱 变窄 扩散运动 加强 漂移运动 减弱 结平衡 破坏 动画演示 P N 2、PN结的单向导电性 外电路形成极小反向电流反向饱和电流 2）PN结加反向电压时： P区接电源负端，N区接电源正端 耗尽层 内电场外电场 PN结反偏 内电场 耗尽层 加强 变宽 扩散运动 难于进行 漂移运动 加强 结平衡 破坏 动画演示 反偏总结：外加的反向电压有一部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相同，加强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散电流大大减小。此时PN结区的少子在内电场作用下形成的漂移电流大于扩散电流，可忽略扩散电流，PN结呈现高阻性。 在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流 。 PN结的单向导电性： PN结的单向导电性是由耗尽层的宽窄决定的，PN 结加正向电压时，耗尽层变窄，呈现很小的正向电阻，正向电流较大：加反向电压时，耗尽层变宽，呈现很大的反向电阻，反向电流很小。PN结的这种正向导电性能良好，而反向导电性能很差的特点，称为PN结的单向导电性。 3、PN结的伏安特性曲线： （PN结外接电压时） 理论公式 OA:正向特性 OB:反向特性 IS:反向饱和电流 击穿特性 4、PN结的击穿 当反向电压超过一定值时,PN结会出现击穿,此时反向电流剧增，反向电流开始剧增的电压称为反向击穿电压. 1)齐纳击穿: 内电场的强作用下,束缚电子被直接从共价键中拉出来,形成电子空穴对,而产生大量的载流子,加强了漂移运动,出现击穿.本质是场致激发.5 2)雪崩击穿: 内电场的强作用下,在结内作漂移运动的少数载流子,受到电场的加速作用可获得很大的能量.它与结内原子碰撞时,使原子的价电子摆脱束缚状态而形成电子空穴对.新生的电子、空穴对再去碰撞其它原子，产生更多的电子、空穴对。使载流子数剧增。反向电流迅速增大，出现击穿。本质是碰撞电离。8v 注意： 出现击穿，PN结并不一定坏了，只有超过允许值时，才烧毁。 第 二节 半导体二极管 一、二极管的结构和符号 构成： 以PN结为核心，两端加上电极引线、管壳。 结构： 点接触型、面结合型、平面型 面结合型 点接触型 平面型 符号如下 符号 二、二极管的伏安特性 二极管的伏安特性同PN结的伏安特性：正向特性、反向特性、击穿特性。且随温度而变化。 锗管 硅管 0.7v 0.2V 1）. 正向特性 ??? 当U＞0，即处于正向特性区域。正向区又分为两段：??? 当0＜U＜Uth时，正向电流为零，Uth称为死区电压或开启电压。??? 当U＞Uth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。??? 硅二极管的死区电压Uth＝0.5 V左右，锗二极管的死区电压Uth＝0.1 V左右。 U U U 2）.