第14章二极管和晶体管终稿.ppt

电工学之电子技术 宝鸡文理学院机电工程系 王娟平 2012.2.12 前言 1. 本课程的性质 2. 特点 3. 教学目标 4. 学习方法 5. 成绩评定 实验： 10 % 平时： 10% 考试： 80 % 6. 教材 一些基本概念 在电子技术中，被传递、加工和处理的信号可以分为两大类：模拟信号和数字信号 模拟信号：在时间上和幅度上都是连续变化的信号，称为模拟信号，例如正弦波信号、心电信号等。 数字信号：在时间和幅度上均不连续的信号。 模拟电路：工作信号为模拟信号的电子电路。 数字电路：工作信号为数字信号的电子电路。 主要内容 半导体二极管和晶体管 基本放大电路 集成运算放大器 电子电路中的反馈 直流稳压电源 Δ电力电子技术 门电路和组合逻辑电路 触发器和时序逻辑电源 存储器和可编程逻辑器件 模拟量和数字量的转换 *现代通信技术 第14章 二极管和晶体管 内容主要有： 半导体的导电性能 PN结的形成及单向导电性 半导体器件的基本结构、工作原理、主要特性曲线、主要参数的意义 晶体管的电流分配和放大作用 光电器件的工作原理 半导体器件主要包括： 半导体二极管（包括稳压管） 晶体管 光电器件 14.1 半导体的导电特性 1.半导体的晶体结构 原子的组成： 带正电的原子核 若干个围绕原子核运动的带负电的电子 且整个原子呈电中性。 半导体器件的材料： 硅（Silicon-Si）：四价元素，硅的原子序数是14，外层有4个电子。 锗（Germanium-Ge）：也是四价元素，锗的原子序数是32，外层也是4个电子。 简化原子结构模型如图4-1(a)的简化形式。 2.半导体的导电原理 ⑴本征半导体（Intrinsic Semiconductor） 纯净的、结构完整的单晶半导体，称为本征半导体。 物质导电能力的大小取决于其中能参与导电的粒子—载流子的多少。 本征半导体在绝对零度（T=0K相当于T=－273℃）时，相当于绝缘体。 在室温条件下，本征半导体便具有一定的导电能力。 半导体中的载流子 自由电子 空穴（Hole） 价电子挣脱共价键的束缚成为自由电子的同时，在原来的共价键位置上留下了一个空位，这个空位叫做空穴。 空穴带正电荷。 在本征半导体中，激发出一个自由电子，同时便产生一个空穴。电子和空穴总是成对地产生，称为电子空穴对。 半导体中共价键分裂产生电子空穴对的过程叫做本征激发。 产生本征激发的条件：加热、光照及射线照射。 半导体中存在 载流子的产生过程 载流子的复合过程 实验表明，在一定的温度下，电子浓度和空穴浓度都保持一个定值. 空穴的运动实质上是价电子填补空穴而形成的。 14.1.2 N型半导体和P型半导体 (杂质半导体) 掺入了“杂质”的半导体称为“杂质”半导体。 常用的杂质元素 三价的硼、铝、铟、镓 五价的砷、磷、锑 杂质半导体分为：N型半导体和P型半导体。 ② P型半导体 在本征半导体中加入微量的三价元素，可使半导体中的空穴浓度大为增加，形成P型半导体。 综上所述： (1)本征半导体中加入五价杂质元素，便形成N型半导体。N型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子，此外还有不参加导电的正离子。 (2)本征半导体中加入三价杂质元素，便形成P型半导体。其中空穴是多数载流子，电子是少数载流子，此外还有不参加导电的负离子。 (3)杂质半导体中，多数载流子浓度决定于杂质浓度，少数载流子由本征激发产生，其浓度与温度有关。 14.2 PN结及其单向导电特性 PN结： 是指在P型半导体和N型半导体的交界处形成的空间电荷区。 PN结是构成多种半导体器件的基础。 二极管的核心是一个PN结；三极管中包含了两个PN结。 ①PN结外加正向电压 ② PN结外加反向电压 如图所示，电源的正极接N区，负极接P区，这种接法叫做PN结加反向电压或反向偏置。 PN结截止产生反向小电流 14.3 二极管 1.基本结构 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。 (1) 点接触型二极管 半导体二极管图片 半导体二极管图片 半导体二极管图片 2. 伏安特性 ① 正向特性 死区电压(oc段)：硅管 0.5V