第3章场效应管1.ppt

场效应管的用途 场效应管又叫做单极型三极管，共有三种用途： 一是当作压控可变电阻，即非线性电阻来使用； 二是当作电压控制器件用来组成放大电路； 三是在数字电路中用做开关元件。 双极型三极管只有两种用途： 一是当作电流控制器件用来组成放大电路； 二是在数字电路中用做开关元件。 3.2 结型场效应管结构及工作原理 2、结型场效应管（JFET)的工作原理 按照如下的思路来讲解： （1）电压源VGS和电压源VDS都不起作用，电压值均为0； （2）只有电压源VGS起作用，电压源VDS的电压值为0； （3）只有电压源VDS起作用，电压源VGS的电压值为0； （4）电压源VGS和电压源VDS同时起作用。 3.3 绝缘栅场效应管的结构及工作原理 增强型MOS场效应管 一 N沟道增强型MOS场效应管结构 二 N沟道增强型MOS的工作原理 三 N沟道增强型MOS场效应管特性曲线 按照如下的思路来讲解： （1）电压源VGS和电压源VDS都不起作用，电压值均为0； （2）只有电压源VGS起作用，电压源VDS的电压值为0； （3）只有电压源VDS起作用，电压源VGS的电压值为0； （4）电压源VGS和电压源VDS同时起作用。 耗尽型MOS场效应管 一 N沟道耗尽型MOS场效应管结构 二 N沟道耗尽型MOS的工作原理 三 N沟道耗尽型MOS场效应管特性曲线 + + - - + + - - + + + + - - - - 反型层 （2）只有电压源VGS起作用，电压源VDS的电压值为0； （2.1） 当VDS=0V，VGS较小时，虽然在P型衬底表面形成一层耗尽层，但负离子不能导电。 （2.2） 当VDS=0V，当VGS=VT时，在P型衬底表面形成一层电子层，形成N型导电沟道 （2.3） 当VDS=0V，VGSVT时, 沟道加厚 + + - - + + - - + + + + - - - - 反型层 开始时无导电沟道，当在VGS?VT时才形成沟道,这种类型的管子称为增强型MOS管 （3）只有电压源VDS起作用，电压源VGS的电压值为大于开启电压的某值 （3.1）电压源VDS的值较小 导电沟道在靠近源极的一边较宽，导电沟道在靠近漏极的一边较窄，呈现楔型，此时导电沟道的电阻近似认为与平行等宽时的一样。对应特性曲线的可变电阻区 电压源VDS的作用使导电沟道有电流流通，电流的流通使导电沟道从漏极到源极有电位降 vDS(V) iD(mA) （3）只有电压源VDS起作用，电压源VGS的电压值为0 （3.2）电压源VDS的值增加使 VGD=VGS－VDS =VT 导电沟道在靠近漏极的一点刚开始出现夹断，称为预夹断。此时的漏极电流ID 基本饱和。 vDS(V) iD(mA) （3.3）电压源VDS的值增加使 VGD=VGS－VDS ＜VT 导电沟道夹断的区域向源极方向延伸，对应特性曲线的饱和区， VDS增加的部分基本降落在随之加长的夹断沟道上， ID基本趋于不变。 vDS(V) iD(mA) 三、N沟道增强型MOS场效应管特性曲线 增强型MOS管 iD=f(vGS)?vDS=C 转移特性曲线 iD=f(vDS)?vGS=C 输出特性曲线 vDS(V) iD(mA) 当vGS变化时，RON将随之变化，因此称之为可变电阻区 恒流区(饱和区)：vGS一定时，iD基本不随vDS变化而变化。 vGS/V * 场效应管与晶体管的区别 1. 晶体管是电流控制元件；场效应管是电压控制元件。 2. 晶体管参与导电的是电子—空穴，因此称其为双极型器件； 场效应管是电压控制元件，参与导电的只有一种载流子， 因此称其为单极型器件。 3. 晶体管的输入电阻较低，一般102~104?； 场效应管的输入电阻高，可达109~1014? 场效应管的分类 结型场效应管JFET MOS型场效应管JFET 第三章 场效应管及其放大电路 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 1、结型场效应管（JFET)结构 P+ P+ N G S D 导电沟道 源极，用S或s表示 N型导电沟道 漏极，用D或d表示 P型区 P型区 栅极，用G或g表示 栅极，用G或g表示 符号 符号 在给出各种情况下的结型场效应管的工作状态时，同时画出对应的输出特性曲线。 （1） VDS =0伏、VGS = 0伏时JFET的工作状态 这种情况下两个PN结处于零偏置状态，它们中间的区域是导电沟道。而且导电沟道从漏极到源极平行等宽。用画有黑色的斜线的区域表示达到动态平衡时的PN结。如图所示。这时导电沟道的电阻记为R1。 （2