现代材料分析测试技术第12章X射线电子能谱.ppt

Ni-P合金的O 1s XPS谱 * 本章内容: 1、表面分析能谱的基本原理 2、XPS的谱线识别、谱峰的位移 3、XPS的实验方法及其应用 　　第十二章　X射线光电子能谱 　X-ray Photoelectron Spectroscopy 　　光电子能谱同其他各种表面分析手段一样，首先经物理学家之手开创，并随着它不断完善，在化学、金属学及表面科学领域内得到了广泛的应用。 光电子能谱最初是由瑞典Uppsala大学的K.Siegbahn及其合作者经过约20年的努力而建立起来的。由于它在化学领域的广泛应用，常被称为化学分析用电子能谱（ESCA），K.Siegbahn因此获得1981年诺贝尔物理奖。因为最初的光源采用了铝、镁等的特征软X射线，此方法逐渐被称为X射线光电子能谱（XPS）。 　　另外，伦敦帝国学院的D.W.Turner等人在1962年创制了使用　　　　　 共振线作为真空紫外光源的光电子能谱仪，在分析分子内价电子的状态方面获得了巨大成功，并在固体价带的研究中，此方法的应用领域正逐步扩大。与XPS相对应，此方法称为紫外光电子能谱（UPS）。 X射线光电子能谱的发展简 介 12.1　表面能谱分析的基本原理 一、固体表面的激发与检测 　　由激发源发出的具有一定的能量的X射线、电子束、紫外光、离子束或中子束作用于样品的表面，可将样品的表面原子中不同能级的电子激发出来，产生光电子或俄歇电子等。此类电子带有样品的表面信息，并具有特征动能。通过能量分析器收集和研究它们的能量分布，经检测记录电子信号强度与电子能量的关系曲线。即为电子能谱。 　　 1、电子能谱的分类： 　　1）XPS ( X-ray Photoelectron Spectroscopy) XPS 　　　采用能量为1000-1500eV 的射线源，能激发内层电子。各种元素内层电子的结合能是有特征性的，因此可以用来鉴别化学元素。 2）UPS ( Ultraviolent Photoelectron Spectroscopy) 　　　采用 或 作激发源。 与X射线相比能量较低，只能使原子的价电子电离。该方法用于研究价电子和能带结构的特征。 　3）AES（Auger electron energy Spectroscopy ） 　　AES大都用电子作激发源，因为电子激发得到的俄歇电子谱强度较大。 2、电子能谱法：光致电离； A + h?? A+* + e h? 紫外(真空)光电子能谱 h? X射线光电子能谱 h? Auger电子能谱 （1） 单色X射线也可激发多种核内电子或不同能级上的电子，产生由一系列峰组成的电子能谱图，每个峰对应于一个原子能级（s、p、d、f）；俄歇电子的特征能量与发射原子序数有关，从能谱的峰位可以鉴别元素的种类，而俄歇电子能谱的谱峰强度和该元素原子浓度相关。 　　俄歇过程是这样的：高能电子束激发原子某一壳层（如K层）的电子，产生一个空穴。一个较外层的电子（如L1壳层的电子）会填充这一空穴，同时将释放出的能量给予某一个壳层的另一个电子（如L1壳层的另一电子）使其从原子中逸出，逸出电子称为俄歇电子，这个过程称为KLL跃迁。 　　俄歇电子能量为EKLL=EK-EL-EL。它只与K、L的能级有关，与激发初始的入射粒子的能量无关，这是AES的一个特点，也是其识别元素的依据。 3、光电离几率和电子逃逸深度 自由电子产生过程的能量关系： 　　 h? = Eb+ Ek+ Er ≈ Eb+ Ek Eb：电子电离能(结合能)； Ek：电子的动能； Er ：反冲动能 光电离几率(光电离截面?)：一定能量的光子在与原子作用时，从某个能级激发出一个电子的几率。 　　?与电子壳层平均半径，入射光子能量，原子序数有关； 轻原子： ? 1s / ? 2 s ≈20 重原子： 同壳层? 随原子序数的增加而增大； 电子逃逸深度?：逸出电子的非弹性散射平均自由程。 　　金属?：0.5~2nm；氧化物：1.5~4nm ；有机和高分子4~10nm ； 　　通常的取样深度 d = 3? ，因此XPS属表面无损分析技术。 （2） 二、光电效应与X射线光电子能谱 1、光电效应 　入射光照射样品，当入射的能量大于原子中的电子结合能和样品的功函数时，则吸收了光子的电子可以脱离样品表面进入真空中，且具有一定的能量。该现象可观测到成光电流的形成。光电效应是X射线光电子能谱的理论基础。 　1）电子结合能：原子中某个电子吸收了一个光子的全部能量后，消耗一部分能量克