IC工艺技术4扩散和热氧化.pptVIP

集成电路工艺技术讲座第四讲 扩散和热氧化 扩散和氧化－目录 扩散 扩散基本规律 扩散技术 扩散层的检测 热氧化 热氧化机理和规律 氧化膜性质及检测 氧化扩散工艺模拟 扩散 扩散工艺－－半导体制造中最基本的掺杂手段，高温下将杂质导入点阵，或形成一定分布，改变半导体导电性质． 双极IC的埋层，隔离，基区，发射区，MOS IC的阱，源漏都要用到扩散． 杂质导入方式 　从气态或液态化学源中扩散　　气相掺杂 　从掺杂氧化物或乳胶源中扩散　　固－固扩散 　离子注入　　然后退火，扩散 扩散基本理论 扩散方程 低浓度时扩散方程的解 扩散层薄层电阻 电场的影响 扩散的微观理论 扩散方程 j=-DdN/dx Fick 第一定律 扩散方程 ?N/?t= ?/?x(D?N/?x) Fick 第二定律 D（扩散系数）　一般是温度和浓度的函数，低浓度扩散时仅为温度的函数， 低浓度时的扩散系数 D=Do exp(-Eo/KT) 一定温度下为常数 低浓度时的扩散方程 　 ?N/?t=D ?2N/?x2 低浓度扩散（本征扩散） 低浓度扩散方程的解 常数扩散源 N(x,t)=NS erfc(x/2(2Dt)1/2) 低浓度扩散方程的解 有限扩散源 N(x,t)=Qo/(?Dt)1/2 exp[-(x/2(Dt)1/2)2] 高斯分布 扩散层的薄层