6.1-模拟集成电路中的直流偏置技术.pptVIP

* 重庆工学院电子学院 《模拟电子技术》 6.1 模拟集成电路中的直流偏置技术 6.1.1 BJT电流源电路 6.1.2 FET电流源 1. 镜像电流源 2. 微电流源 3. 高输出阻抗电流源 4. 组合电流源 1. MOSFET镜像电流源 2. MOSFET多路电流源 3. JFET电流源 把整个电路中的元器件制作在一块 硅基片 上，构成特定功能的电子电路。 1 . 就集成度分：小规模﹑中规模﹑ 大规模﹑ 超大规模 （每块芯 片上可有上亿个元件） 2. 就导电类型分：双极型﹑ 单极型﹑ 两者兼容型 3. 就功能分：数字集成电路﹑模拟集成电路 集成电路： 分类： 由于制造工艺上的原因，模拟集成电路与分立元件电路相比有以下特点： （1）电阻和电容的值不宜做得太大，电路结构上采用 直接耦合方式 由于集成电路中，电阻是利用NPN管的基区体电阻构成， 电阻值的范围一般为几十欧~10千欧左右，阻值范围不大，且阻值精度不易控制，误差可达10%~20%。所以，若需要高阻值电阻，可用BJT或FET等组成的恒流源代替，或采用外接电阻的方法。 电容则采用PN结的结电容构成，约在100PF以下，误差也较大，因此电路结构只能采用直接耦合方式。电感的制造则更加困难。 集成电路的特点 （2）为克服直接耦合电路的温度漂移，常采用差分式放大电路 　　 作为输入级 （3）尽量采用BJT（或FET）代替电阻﹑电容和二极管等元件 在集成电路制造工艺中，制造三极管（特别是NPN管）比制造其他元件容易，且占用面积小，性能好。因此常用BJT（或FET）构成恒流源作偏置电阻；将BJT的基极和集电极短接构成二极管﹑稳压管等；用复合管﹑共射—共基﹑共集—共基等组合电阻来改善单管电路的性能。 6.1.1 BJT电流源电路 1. 镜像电流源 T1、T2的参数全同 即β1＝β2，ICEO1＝ICEO2 当BJT的β较大时，基极电流IB可以忽略 Io＝IC2≈IREF＝ 代表符号 IC2相当于基准电流IREF的镜像 存在问题：当β不够大时， IC2与IREF 差异较大 6.1.1 BJT电流源电路 1. 镜像电流源 动态电阻 一般ro在几百千欧以上 IREF IC1 IC2 IB T1 T2 R Vcc T3 IB2 IB1 IC2 ≈ IREF IC2与IREF互为镜像 改进：带缓冲的镜像电流源： 镜像电流源电路适合用于较大工作电流（mA级）的场合，若需要IC2 ↓→ R ↑，在集成电路中不易实现。 IREF = 利用T3的电流放大作用，减小IB 对I RFE的分流作用，提高IC3 与I RFE 互成镜像的精度 R 2.比例恒流源电路 在镜象恒流源电路的基础上，增加两个发射极电阻，使两个发射极电阻中的电流成一定的比例关系，即可构成比例恒流源。其电路如图6.3所示。 图 比例恒流源 ∴IE2Re2 = V BE1－VBE2 ∵IE2Re2+ VBE2= VBE1（KVL方程） IE2 =（V BE1－VBE2 ）/ Re2 = ⊿V BE / Re2 ≈ IC2 ∵ ⊿V BE的数值很小 ∴ IC2亦很小，故称为微电流源 IREF ≈ Vcc+VEE / R 当电源变化时→ IREF变化→ ⊿V BE变化很小→ IC2变化很小（远 小于IREF的变化） ∴ IC2较稳定 3. 微电流源 A1和A3分别是T1和T3的相对结面积 动态输出电阻ro远比微电流源的动态输出电阻为高 6.1.1 BJT电流源电路 4. 高输出阻抗电流源 6.1.1 BJT电流源电路 5. 组合电流源 T1、R1 和T4支路产生基准电流IREF T1和T2、T4和T5构成镜像电流源 T1和T3，T4和T6构成了微电流源 6. 电流源作有源负载 共射电路的电压增益为： 对于此电路Rc就是镜像电流源的交流电阻，一般在几百千欧以上 因此增益为 比用电阻Rc作负载时提高了。 放大管 镜像电流源 镜像电流源 镜像电流源 6.1.2 FET电流源 1. MOSFET镜像电流源 当器件具有不同的宽长比时 （?=0） ro= rds2 MOSFET基本镜像电路流 6.1.2 FET电流源 1. MOSFET镜像电流源 用T3代替R，T1~T3特性相同，且工作在放大区，当?=0时，输出电流为 常用的镜像电流源 * 重庆