第8章+光电传感器.ppt

图8.13 硒光电池与硅光电池的光谱特性曲线 2） 光电池的光照特性 光电池在不同的光强照射下可产生不同的光电流和光生电动势。硅光电池的光照特性曲线如图8.14所示。从该曲线可以看出,短路电流在很大范围内与光强成线性关系。开路电压随光强变化是非线性的,并且当照度在2000 lx时就趋于饱和。因此,把光电池作为测量元件时,应把它当作电流源来使用,不宜用作电压源。 所谓光电池的短路电流,就是反映负载电阻相对于光电池内阻很小时的光电流。而光电池的内阻是随着照度增加而减小的,所以在不同照度下可用大小不同的负载电阻为近似“短路”条件。从实验中知道,负载电阻越小,光电流与照度之间的线性关系越好,且线性范围越宽,对不同的负载电阻,可以在不同的照度范围内,使光电流与光强保持线性关系。所以,应用光电池作测量元件时,所用负载电阻的大小,应根据光强的具体情况而定。 总之,负载电阻越小越好。 图8.14 硅光电池的光照特性曲线 ? 3） 光电池的频率特性 光电池在作为测量、计数、接收元件时,常用交变光照。光电池的频率特性就是反映光的交变频率和光电池输出电流的关系,如图8.15所示。从该曲线可以看出,硅光电池有很高的频率响应,可用在高速计数、有声电影等方面。这是硅光电池在所有光电元件中最为突出的优点。 图8.15 光电池的频率特性曲线 4) 光电池的温度特性 光电池的温度特性主要描述光电池的开路电压和短路电流随温度变化的情况。由于它关系到应用光电池设备的温度漂移,影响到测量精度或控制精度等主要指标,因此是光电池的重要特性之一。光电池的温度特性曲线如图8.16所示。从该曲线可以看出,开路电压随温度升高而下降的速度较快,而短路电流随温度升高而缓慢增加。因此,当使用光电池作测量元件时,在系统设计中应考虑到温度的漂移,并采取相应的措施进行补偿。 图8.16 光电池的温度特性曲线 8.5 CCD图像传感器 1. CCD结构 CCD是在P（或N）型硅基体上,生成一层SiO2绝缘层（厚度约1000）,再于绝缘层上淀积一系列间隙相隔很小（小于0.3 μm）的金属电极（栅极）,每个金属电极和它下面的绝缘层及半导体硅基体形成一个MOS电容器,故CCD实际上是由一系列MOS电容器构成的MOS阵列。由于这些MOS电容器彼此靠得很近,它们之间可以发生耦合,使被注入到MOS电容器中的电荷可以有控制地从一个电容器移位到另一个电器容。这样的电荷转移过程是电荷耦合的过程,故这类器件被称为电荷耦合器件。 2. 电荷存储 图8.17所示为在热氧化P型硅衬底上淀积金属而构成的一只MOS电容器。若在某一时刻给它的金属电极加上正向电压U,P型硅半导体中的多数载流子（空穴）便会受到排斥,在硅表面处就会形成一个耗尽区。这个耗尽区与普通的PN结一样,同样也是电离受主构成的空间电荷区。在一定条件下,所加U越大,耗尽层就越深。这时,硅表面吸收少数载流子（电子）的势也就越大,耗尽区越深。对于带负电的电子来说,耗尽区是个势能很低的区域,称为电子“势阱”,如图8.18所示。势阱具有存储电子（电荷）的功能,每一个加正电压的电极下就是一个势阱。通常将表面势阱中的自由电荷称为电荷包。势阱的深度取决于正电压U的大小,势阱的宽度取决于金属电极的宽度。 CCD电荷（少数载流子）有电压信号注入和光信号注入两种产生方式。做为图像传感器,CCD接收的是光信号,即光信号注入法。当光信号照射到CCD硅片上时,在栅极附近的耗尽区吸收光子产生电子-空穴对。这时在栅极电压的作用下,多数载流子（空穴）将流入衬底,而少数载流子（电子）则被收集在势阱中,形成信号电荷存储起来。这样,高于半导体禁带宽度的那些光子就能建立起正比于光强的存储电荷。 图8.17 MOS基本单元 图8.18 电子“势阱” 图8.19（a）所示是不存在信号电荷（少数载流子）的能带图情形,图8.19(b)所示是已堆积一些信号电荷的能带图情形。由图8.19可知,半导体硅内的电位分布向着其表面以抛物线规律增加,至表面处时,其表面势最大。同时,因信号电荷量的存在,表面势减小。图8.19中, x为极电压,U为栅压。 图8.19 MOS能带图 3. 电荷耦合  CCD器件有二相、三相、四相等几种时钟脉冲驱动的结构形式。其中最方便的是由三相时钟脉冲驱动的CCD器件,如图8.20所示。在三相结构CCD中,三个电极组成一个单元,形成一个像素。三个不同的脉冲驱动电压按图8.20(b)的时序提供,以保证形成空间电荷区的相对时序。 第8章 光电传感器 第8章 光电传感器 8.1 光电传感器的基本效应 8.2 外光电效应光电器件 8.3 光电导效应及光电元件