第二部分 电压互感器地介损试验.docVIP

标准文档 实用文案 二 电压互感器的介损试验 测量电压互感器绝缘（线圈间、线圈对地）的tgδ，对判断其是否进水受潮和支架绝缘是否存在缺陷是一个比较有效的手段。其主要测量方法有，常规试验法、自激磁法、末端屏蔽法和末端加压法，必要时还可以用末端屏蔽法测量支架绝缘的介质损耗因数tgδ。 1电压互感器本体tgδ的测量 （1）常规试验法 串级式电压互感器为分级绝缘，其首端“A”接于运行电压端，而末端“X”运行时接地，出厂试验时，“X端”的交流耐压一般为5千伏，因此测量线圈间或线圈对地的tgδ应根据其结构特点选取试验方法和试验电压值。 常规试验法（常规法）如图2-7所示。测量一次线圈AX与二、三次线圈ax、aDXD及AX与底座和二次端子板的综合绝缘 tgδ，包括线圈间、绝缘支架、二次端子板绝缘的tgδ。由串级式互感器结构可知，下铁心下芯柱上的一次线圈外包一层0.5毫米厚的绝缘纸后绕三次线圈（亦称辅助二次线圈）aDXD。常规法测量时，下铁心与一次线圈等电位，故为测量tgδ的高压电极。其余为测 图2-7 量电极。其极间绝缘较薄，因此电容量相对较大，即测得的电容量和tgδ中绝大部分是一次线圈（包括下铁心）对二次线圈间电容量和tgδ。当互感器进水受潮时，水分一般沉积在底部，且铁心上线圈端部易于受潮。所以常规法对监测其进水受潮还是比较有效的。因此通过常规法试验对其绝缘状况作出初步判断，并在这一试验基础上进行分解试验，或用其他方法进一步试验，便可具体地分析出绝缘缺陷的性质和部位。常规法试验时，考虑到接地末端“X”的绝缘水平和QS1电桥的测量灵敏度，试验电压一般选择为2～3千伏。不同试验接线所监测的绝缘部位如表2-1示所。 表2.-1所列的测量接线都受二次端子板的影响，而且不能准确地测量出支架的tgδ。如果二次端子板绝缘良好，则可按表2.-2-1中序号5、6两种试验近似估算出支架的介质损。但最好用序号1、2两次试验结果结果计算出支架的tgδ。不过上述两种计算支架tgδ的方法都受二次端子的影响。 表2-1中序号1～7测量的电容量和介质损分别为C1～C7和tgδ1～tgδ7，支架的电容量和介质损分别为C支、tgδ支。 表2-1 电压互感器tgδ的测量接线 序 号 接 线 方 式 监测绝缘部位 备 注 QS1电桥接线方式 试验电压加压端 QS1电桥Cx线连接端 QS1电桥屏蔽层“E”的连接端 接地端 线 圈 间 绝缘支架 二次端子板 1 正接线 一次线圈AX短接处 二次线圈ax， 三次线圈 aDXD 地 QS1电桥“E”点 √ √ √ 底座 垫绝缘 2 正接线 一次线圈AX短接处 ax、 aDXD 地 底座 √ √ 3 正接线 一次线圈AX短接处 ax aDXD地 底座 √ √ 4 正接线 一次线圈AX短接处 aDXD Ax、地 底座 √ √ 5 正接线 一次线圈AX短接处 底座 ax、aDXD地 QS1电桥 “E”点 √ √ 底座 垫绝缘 6 反接线 QS1电桥 “E”点 AX 短接处 ax、aDXD 底座 √ √ 7 反接线 QS1电桥 “E”点 AX 短接处 ax、aDXD 底座 √ √ √ 常规法测量无论哪一种接线方式都受二次端子板的影响。也就是说，二次端子板的部分或全部绝缘介质损被测入。二次端子上固定有一次线圈的弱绝缘端“X”，二次线圈和三次线圈端子a、x、aD、xD以及将端子板固定在底座上的四只接外壳（地）的螺栓。 常规法测量一次对二、三次及地的介质损的试验结果的分析： tgδ值大于规定值。这既可能是互感器内部缺陷如进水受潮等引起的，也可能是由于外瓷套或二次端子板的影响引起的。一般多注意二次端子板的影响，若试验时相对湿度较大，瓷套表面脏污，就应注意外瓷套表面状况对测量结果的影响。如确认没有上述影响，则可认为互感器内部存在绝缘缺陷。 tgδ小于规定值。对此，一般认为线圈间和线圈对地绝缘良好。但必须指出，此时测得的tgδ还包括与其并联的绝缘支架的介质损。由于支架电容量仅占测量时总电容的1/100～1/20。因此实测tgδ将不能反映支架的绝缘状况。这就是说，即使总体tgδ（一次对二、三次及地）合格也不能表明支架绝缘良好。而运行中支架受潮和分层开裂所造成的运行中爆炸相对较多，必须监测支架在运行中的绝缘状况。这一问题也是常规法所不能解决的。为此就有必要