吉林大学半导体课件第三章(精).pptVIP

说明与声明 《半导体器件物理学习指导》是编者在吉林大学电子科学与工程学院为 微电子学、光电子学、电子科学与技术等专业本科生讲授《半导体器件 物理》课的过程中为便于学生学习和使用所用《半导体器件物理》教材 （孟庆巨、刘海波、孟庆辉著，科学出版社2005年1月出版，2006年6月 第三次印刷）而编写的与教材配套的辅导性学习参考材料。按照教材的内 容和教学要求《半导体器件物理学习指导》包括以下四个方面的内容： 一 .重要名词、术语、概念和问题 二. 重要理论推导 三. 重要图表 四. 重要习题解答 说明与声明 欢迎和感谢对《半导体器件物理学习指导》的使用。由于作者水平所限， 编写时间仓促，错误之处在所难免 ，欢迎和感谢批评指正。 《半导体器件物理学习指导》仅供师生教学使用， 尚未作为文字出版物出 版，但是《半导体器件物理学习指导》作为2005年吉林大学精品课和 2005年吉林省精品课《半导体器件物理与实验》课程的网上资源已经上 网。任何未经本人允许而销售或在任何出版物中引用《半导体器件物理学 习指导》中的任何材料的做法都将被视为是侵犯编者的知识产权的行为。 《半导体器件物理学习指导》编者 孟庆巨 于吉林大学 2006年6月30日 第三章 双极结型晶体管 一名词 概念 术语 问题 发射极注射效率：发射极注射效率 定义为 即发射极注入到基极的电子电流在总的发射极电流中所占的 比例. 基区输运因子：基区输运因子 定义为 即发射极注入到基极的电子电流中能够到达集电极的电子电 流所占的比例。 共基极直流电流增益：共基极直流电流增益 为 的意义是发射极注入到基极的电子电流中能够到达集电极的电子电流在总的发射极电流中所占的比例。 共发射极电流增益: （有时也表示成 ）叫做共发射极直流电流增益。 共基极截止频率 : BJT的交流共基极电流增益下降到的低频共基极电流增益的0.707时的信号频率. 共发射极截止频率 :BJT的交流共发射极电流增益下降到的低频共发射极电流增益的0.707时的信号频率 . 增益?带宽乘积 :BJT的交流共发射极电流增益 的模量下降到1时的频率。 * BJT的四种工作模式及工作条件 答：四种工作模式是 (1)正向有源模式： (2)反向有源模式： (3)饱和模式： (4)截止模式： *画出能带图简述BJT放大作用 答：能带图见图3-6。BJT放大作用：由于发射结正偏，势垒降低 ，电子将从发射区向基区注入，空穴将从基区向发射区注入。基区出现过量电子，发射区出现过量空穴。过量载流子浓度取决于发射结偏压的大小和掺杂浓度。当基区宽度很小（远远小于电子的扩散长度）时，从发射区注入到基区的电子除少部分被复合掉外，其余大部分能到达集电结耗尽区边缘。集电结处于反向偏压，集电结势垒增加了 。来到集电结的电子被电场扫入集电区，成为集电极电流。这个注入电子电流远大于反偏集电结所提供的反向饱和电流，是集电极电流的主要部分。如果在集电极回路中接入适当的负载就可以实现信号放大. *写出BJT的少子边界条件并画出少子分布示意图 答：正向有源工作模式： 基区少子满足的边界条件为 反向有源工作模式： 相应的边界条件为 饱和工作模式： 相应的边界条件为 截止工作模式： 相应的边界条件为 此外， 四种工作模式及相应的少子分布示于图3-14中。 *电流增益随集电极电流的变化。 答：图为电流增益随集电极电流变化 的曲线。当集电极电流大于10mA时 ， 开始平直，然后随着电流的进一步 增加而减小。高电流时增益的下降是 由于注入的少数载流子密度(电子)变得 和基区中的多数载流子（空穴）可比拟，这 使得在发射结电流中由基区向发射区 注入的那一部分空穴电流增加，致使发射极效率降低和 的 下落。这是大注入情况，这一节中所求得的公式不再能够应 用。在集