电子电路基础第四章(2010).pptVIP

为简化计算，忽略rbb’的影响，并利用电流源分割原理，将受控源分割到输出回路和输入回路: 考虑到左边的受控源控制电压就是两端的电压，所以可以等效为一个电阻，阻值为1/gm。该电阻与rb’e并联： 列解方程可以得到： 求取时间常数即可 Av的上限频率？ 系统的幅频和相频特性可表示为： 可见：由于输入端输入电阻小，且没有Cb’c的密勒效应在输入端的影响，所以fHi较高，如果输出端没有容性负载，fHo也很高 共基电路具有：输入阻抗低、同相放大、较大的增益、较高的上截止频率。 例4.3.2: 共基极放大电路的交流通路如图所示RC=2kΩ，RL=2.5kΩ，RS=1kΩ，rbb’=100Ω，β0=80，VA=100V，fT=300MHz，Cb’c=4pF， T的直流工作点：ICQ＝1mA、VCEQ=3V。分析电路的电压增益函数和上截止频率。 解： ， ， ， 相同工作情况下的共发射极放大电路的上截止频率约为1.167MHz 。 Rs的阻值太大，增益较低 前面的计算忽略了Rbb’ 4.3.3 单管共集电极放大电路的高频特性 高频等效电路如图，由于Cb’c跨接在输入端，容量很小，其两端的等效电阻（rbb’和Rs）也较小，形成一个频率很高的高频极点。在高频分析时，主要关注主极点，该电容的影响忽略。 根据电路列解方程组： 一个零点和一个极点 例4.3.3: 共集电极放大电路如图。RE=3KΩ, RL=60KΩ.晶体管参数rbb’=100Ω，β0=80，VA=100V，fT=300MHz，Cb’c=4pF，RB=100KΩ,ICQ≈1mA。计算信号源内阻RS分别为1KΩ和100Ω时的电压增益函数和上截止频率。 解： rb’e=2.08KΩ gm=38.46mS Rs=1KΩ时：fH=34.91MHz。 Rs=100Ω时：fH=191.3MHz 。 4.3.5 放大电路的低频特性 耦合电容的目的是隔断直流，使前后放大级的直流工作点不致相互影响，同时耦合交流信号。而旁路电容的目的是短路交流，使偏置或负反馈电阻不致降低电路的中、高频增益。 由于晶体管的结电容较小，在低频段可以看成开路，对低频段频率特性产生影响的原因主要来自耦合电容和旁路电容（RC耦合放大电路） 右图电路中CB、CC、CE对低频特性产生影响（包括与之相对应的等效电阻） 下左图是忽略了RB及rce后的低频等效电路 右图是将射极回路中的CE、RE等效到基极回路后的低频等效电路。由于射极电路是基极电流的(1+β)，所以，等效到基极回路后的RE’= (1+β)RE，CE’=CE/ (1+β) 从图中看出，当频率降低CE’和CB使rb’e上的电压下降，即增益下降。CC使得在RL上的电压下降，增益下降。 CC与CE、CB处在不同回路，有受控源的隔离，可分开考虑。 先将CC短路，求输入回路的电容对增益的影响 先不考虑CC的影响 两个极点和两个零点 解该方程组，可得： 实际电路中满足下列条件： 考虑到CCE/(1+β),所以由（Rs+rbe)C构成的极点由RECE构成的零点，所以可以把由RECE构成的零点看成在零点附近，与p1抵消。 开路 其电压增益函数近似表示为： 即时间常数为C2和其并联的等效电阻构成。 以上分析可知：总的电压增益函数可看成由两个极点(fL1,fL2)和两个零点(在原点）构成。 例：设Rs=200Ω，RC=3.3kΩ， RE=1kΩ， RL=5.1kΩ， C1=C2=3.3μF，CE=50μF，rbe=1.5kΩ， β=100，忽略RB 将以上参数代入前面给出的公式，可得： 由于fL2fL1，所以系统的下限截止频率由fL1确定。 组合放大电路将不同组态工作的晶体管组合成一单元电路，达到综合利用各种组态电路的优点的目的。 一、共射－共基组合放大电路 共射电路的集电极负载很小，使CM很小，上限截止频率升高。 4.3.6 组合放大电路的频率特性 二、共集－共射组合放大电路 对于共射电路，输入的信号源内阻很小 作业： 4.3.1 4.3.3 + vS + – RS +VCC RC RB3 T1 T2 C2 VZ + – RB4 +9V 1KΩ 1.6KΩ 5 KΩ RE 1.2KΩ C3 RB1 RB2 3.8 KΩ 5.3KΩ 5.5KΩ C1 vo RL 16 KΩ C4 RZ 1.5KΩ 6V 题图4.3.9 4．2 晶体管的频率特性 晶体管内部的结电容，其容抗随着工作频率的增高而减小，导致晶体管高频放大能力下降。在中、低工作频段结电容的容抗相对较大可相当于开路。 4.2.1 双极型晶体管的高频参数 图4.2.1 双极性晶体管的混合π模型 晶体管电流放大系数的频率响应 令上图中c、e短路，得到： 通过上式