上次课主要内容回顾.pptVIP

上次课主要内容回顾 1.双极集成电路的基本制造工艺 什么是极？ 怎么做隔离？ 6次光刻和光刻目的 2.MOS集成电路的基本制造工艺 根据阱的导电类型进行的分类 P（N）阱硅栅CMOS工艺和元件的形成过程（5次离子注入、10次光刻） 第二章 集成电路中的晶体管及其寄生效应 2.1理想本征集成双极晶体管的EM模型 2.2集成双极型晶体管的有源寄生效应 2.3集成双极型晶体管的无源寄生效应 2.1理想本征集成双极晶体管的EM模型 2.2集成双极晶体管的有源寄生效应 2.2.1 NPN管工作于正向工作区和截止区 寄生PNP管截止。只增加IB，IC的反向漏电流，和衬底漏电流IS’ 。 2.2.2 NPN管工作于反向工作区 寄生PNP管工作区于正向工作区。 定性分析：相当大的反向NPN管“发射极电流作为无用电流流向IS 。 解决寄生管影响的方法思路： IS’ 减小 αSF减小 ：减小PNP管的集电极电流 掺金工艺：少子的寿命减少； 埋层工艺：少子基区渡越时间增加 。 2.2.3NPN管工作于饱和区 PNP管工作在正向工作区。 解决方法： 减小αSF 掺金工艺、埋层工艺。 增大△V SBC(△V =VBE-VBC) 2.3集成双极晶体管的无源寄生效应 图2.3-1标有无源电阻寄生元件的集成NPN晶体管结构图 寄生电阻的计算方法 发射极串联电阻res：见黑板 集电极串联电阻rcs 基区电阻rb 1.截锥体模型 3.基区电阻rB 的计算方法 图2.3-2标有无源电容寄生元件的集成NPN晶体管结构图 * * 本次课主要内容回顾 图2.1集成电路中的双极晶体管结构(a)剖面 (b)符号表示(c)极性规定 (a) (C) 工作晶体管 寄生晶体管 图2.2双极晶体管的四种工作状态 双极晶体管的四种工作状态的判断 C B E N+-BL N+ N+ P N-epi P+ P+ P-SUB rc3 rc2 rc1 rb res 发射极串联电阻res 集电极串联电阻rcs 基区电阻rb 2.3.1集成NPN晶体管中的寄生电阻 L W bL aW T 20 14 10 12 10 10 10 10 10 12 10 14 20 10 10 10 B E rb3 rb2 rb1 C B E N+-BL N+ N+ P N-epi P+ P+ P-SUB 2.3.2集成NPN晶体管中的寄生电容 CjE CjS CjC *