氮化铝镓铟AlGaInN之长晶与制程简介.doc

題目：the fabrication and growth in AlGaInN material 班級：物四乙 學號：8522054 姓名：朱健智 指導教授：郭艷光 老師 前言： GaN材料在1970年代就開始被科學家製作及研究，從研究的結果及比較中可以發現，跟其他的磷化物及砷化物半導體相比較，氮化物所能產生的波長明顯的可到達藍綠光甚至到達紫外光，加上半導體材料的小體積、價格便宜的優點。因此把氮化物半導體應用在資訊儲存、大型全彩看板、訊號指示燈、甚至是白光源的方面，實在是非常的適合。但是因為氮化物製造的種種困難，因此一直到了近期，在氮化物的生產及應用採有比較明顯的趨勢。在本文中則會把氮化物在磊晶方面所改良的方式加以提出，使大家都能知道氮化物的發展進步過程。 氮化物磊晶所遇到的困難及改良 改善GaN與sapphire之間晶格不匹配的問題 在藍光發光材料中，大部分的研究人員都看好ZnSe系材料，因為雖然與GaN相同，它們都有組成元素的高蒸氣壓(以GaN為例，其生長要在一萬至兩萬大氣壓,溫度在1500-1600℃左右)、不易形成p形半導體的缺點，但是GaN更面臨到沒有晶格常數匹配的合適基板。但是當時日本的赤崎教授並沒有放棄，並在1985年時使用MOCVD法以較低溫在藍寶石基板上先生出一成AlN緩衝層，再生長GaN磊晶膜，結果不但解決了直接將GaN生長在藍寶石上所產生的磊晶面不平坦及龜