TLP16J TLP26J TLP525G双向可控硅晶片的光耦基本原理及应用实例.docVIP

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2019-07-02 发布于江西
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TLP16J TLP26J TLP525G双向可控硅晶片的光耦基本原理及应用实例.doc

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TLP160J TLP260J TLP525G TLP160J TLP260J TLP525G是输出端采用双向可控硅晶片的光耦，此3款光耦采用的是非过零触发导通形式，因此应用在交流电的情况下，在交流电的任意相位，只要收到输入的的触发信号，输出端就会开始导通，故可以改变交流电的导通角。 TLP160J和TLP260J，采用的是SOP-4的小封装，而TLP525则是采用DIP-4的封装，因此他们比传统的DIP-6体积更小，能有效的节省PCB空间，减小客户产品尺寸，产品尺寸小了，但耐压能力却没有缩水，TLP525G耐压达到400V，而TLP160J,TLP260J耐压更是达到600V。型号基本参数 TLP525 TLP160J TLP260J 封装 DIP-4 SOP-4 SOP-4 触发电流 IFT 10 mA 10 mA 10 mA 耐压 VDRM 400 V 600 V 600 V 输出电流 IT 100 mA 70 mA 70 mA 开管时压降 VTM 3.0 V 2.8 V 2.8 V 基本原理从他的基本原理图可以看出，输入端为一个LED，一般为940nm的红外线LED，而输出端为一个双向可控硅，门极由光电模块取代，因此，双向可控硅的导通，由LED进行控制。可控硅的I/V曲线如下图所示，图中横轴为电压，纵轴为电流，横轴最远的地方为他的耐压值 VDRM，就算IF不给他信号，如果他的电压超过VDEM，可控硅照样会导通，IF的作用是降低VDRM的值。值得要注意的是，IFT实际上表达的意思是使VDRM将到3V以下的电流值。因此当我们给LED一定电流时，可控硅的VDRM会降低，比如本来耐压是600V，而现在可能变成100V，如果可控硅两端的电压是220V，就算此时IF的电流并未达到datasheet上上IFT的值，光耦的输出端照样会被导通。所以在使用可控硅输出光耦时，当输出端两端的电压越是大时，尤其要注意防止输入端的杂讯，防止因为杂讯的出现造成在不需要的时候导通。应用实例可使用双向可控硅光耦去控制双向可控硅的导通，用以驱动电机，灯源等负载，并且可实现调速调光等功能。在控制与驱动领域，双向可控硅光耦应用非常广泛。