第4章_半导体的导电性.pptVIP

* 物理与光电工程学院 声学波散射： 电离杂质散射： 光学波散射： 上次课内容回顾： * 物理与光电工程学院 4.4 电阻率及其与 杂质浓度和温度的关系 * 物理与光电工程学院 4.4.1 电阻率表示式 一般半导体： 本征半导体： n型半导体： p型半导体： 由 知，电导率是杂质浓度和温度的函数。 可得不同类型半导体的电阻率表示式： 由关系式 * 物理与光电工程学院 4.4.2 电阻率和杂质浓度的关系 考虑轻掺杂情况，在室温下杂质全部电离，且迁移率基本上不随杂质浓度变化(见图4-13)（思考：这说明了什么？）。因此电阻率随杂质浓度增加近似成反比减小(见图4-15). * 物理与光电工程学院 图4-15 Ge、Si、GaAs在室温下电阻率与杂质浓度关系 4.4.2 电阻率和杂质浓度的关系 * 物理与光电工程学院 对于杂质补偿的材料，在杂质饱和电离温度下： 若 （4-63） 若 （4-64） 4.4.2 电阻率和杂质浓度的关系 只掺n型杂质： 只掺p型杂质： * 物理与光电工程学院 例题：求室温下本征硅的电阻率。若在本征硅中掺入百万分之一的硼，电阻率是本征硅多少倍？ 解： 室温本征硅的载流子浓度、电子和空穴的迁移率分别为： 因此电阻率为： 4.4.2 电阻率和杂质浓度的关系 * 物理与光电工程学院 掺入硼后，成为P型半导体。由于室温下杂质全部电离，因此载流子浓度为： 查阅室温下硅的杂质浓度与迁移率的关系曲线（图4-13）知，此时空穴的迁移率约为： 所以P型硅的电阻率为： 4.4.2 电阻率和杂质浓度的关系 * 物理与光电工程学院 4.2.2 载流子的散射 当长声学波和长光学波两种散射作用同时存在时，晶格振动对载流子的总散射概率为两种散射概率之和： 对于不同的半导体，这两种散射的相对强弱不同: 在共价结合的元素半导体中，如Si和Ge，长声学波的散射是主要的；在极性半导体中，长纵光学波的散射是主要的． * 物理与光电工程学院 4.2.2 载流子的散射 中性杂质散射：在温度很低时，未电离的杂质(中性杂质)的数目比电离杂质的数目大得多，这种中性杂质也对周期性势场有一定的微扰作用而引起散射．但它只在重掺杂半导体中，当温度很低，晶格振动散射和电离杂质散射都很微弱的情况下，才起主要的散射作用． 位错散射：位错线上的不饱和键具有受主中心作用，俘获电子后成为一串负电中心,其周围将有电离施主杂质的积累，从而形成一个局部电场，这个电场成为载流子散射的附加电场。 3）其他散射机构 * 物理与光电工程学院 4.2.2 载流子的散射 c. 等同能谷间散射：对于Ge、Si，导带结构是多能谷的，即导带能量极小值有几个不同的波矢值．载流子在这些能谷中分布相同，这些能谷称为等同能谷．对这种多能谷半导体，电子的散射将不只局限在一个能谷内，而可以从一个能谷散射到另一个能谷，这种散射称为谷间散射． * 物理与光电工程学院 作业: 什么是迁移率?为什么说电子的迁移率要比空穴迁移率大? 为什么温度越高, 电离杂质对载流子的散射越弱? 在极性半导体中，为什么纵光学波而不是横光学波对载流子的散射是主要的？ * 物理与光电工程学院 复习： μn和μp分别称为电子迁移率和空穴迁移率。 物理意义：表示在单位场强下电子或空穴所获得的平均漂移速度大小，单位为m2/V·s或cm2/ V·s ． 迁移率 * 物理与光电工程学院 复习： 声学波散射概率与温度的关系： 电离杂质对载流子的散射概率: 散射几率随温度的变化主要取决于平均声子数，其随温度按指数上升: * 物理与光电工程学院 4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系 * 物理与光电工程学院 4.3.1 迁移率的简单理论分析 平均自由时间: 连续两次碰撞间的时间间隔. 散射几率是载流子速度的函数.先不考虑电子的速度分布,即认为电子有统一的速度. 平均自由时间和散射几率是描述散射过程的两个重要参量, 以电子运动为例来求两者关系. * 物理与光电工程学院 4.3.1 迁移率的简单理论分析 设有N个电子以速度v沿某方向运动，N（t）表示在t时刻尚未遭到散射的电子数。则t到t＋△t时间内被散射的电子数为N（t）P△t，即： 当△t很小时，可以写为： （4-27） （4-28） * 物理与光电工程学院 4.3.1 迁移率的简单理论分析 式（4-28）的解为： （4-29） 是t＝0时未遭散射的电子数。所以在t到t＋dt时间内被散射的电子数为： 由于dt很小，因此这些粒子的平均自由时间为t。 （4-30） * 物理与光电工程学院 4.3.1 迁移率的简单理论分析 而这些粒子的总的自由时间为： （4-31） 所有粒子的平均自由时间为： 即:平均散射时间等于散射几率的倒数 *