锗单晶位错密度的测试方法-中国有色金属标准质量信息网.docVIP

国家标准《锗单晶位错密度的测试方法》 编制说明（预审稿） 一、工作简况 1、立项目的和意义 低位错锗单晶是光电子与微电子的基础性材料，广泛应用于空间太阳能电池，地面太阳能电池（CPV）、高亮度LED以及其他半导体器件。以锗片为衬底的砷化镓太阳电池转换效率高达30%，远大于硅太阳电池，取代了硅太阳电池在空间的应用，目前，超过90%的空间电源都是锗基太阳能电池，使得其成为空间太阳电池的基础材料。 而太阳能电池使用的锗单晶要求直径100mm以上，位错密度低于1000/cm2，高效电池甚至要求单晶位错密度低于300/cm2，当单晶的位错密度低到这种状态时，对位错密度测量精度提出更高的要求，原来GB/T 5252标准中的九点测量方法获得的数据相对于整个断面上的平均值最大偏差高达40%。而位错密度过高或不均匀将严重影响太阳能电池光电转换效率和使用寿命，位错密度测量的不准确可能直接影响到电池产品的质量，这样容易引起供需双方的矛盾，给产品的销售和应用带来影响。 目前，用于制备低位错锗单晶的工艺有直拉法和垂直温度梯度法，直拉法由于存在单晶和坩埚的相对旋转，因此，单晶轴对称性较好，九点测量方法得到的位错密度数据和实际均值相差不是很大。而垂直温度梯度法（VGF）由于晶体没有旋转，晶体轴对称性由热场结构决定，比较容易存在非轴对称性，九点测量方法是否还能满足要求还需要大量数据进行验证。因此，需要对该标准进行