第0章半导体基础(6).pptVIP

PN结的电流方程 PN结的电容效应 扩散电容 (3) 、二极管的主要参数 二、稳压管的主要参数 半导体三极管图片 安全工作区 SOA (Safe Operation Area） PCM、 ICM和V(BR)CEO限定 § 0.4 Field Effect Transistor (场效应晶体管） (Unipolar Junction Transistor) 0.4.2 绝缘栅型场效应管 一、N沟道增强型 MOSFET (二)、特性曲线 二、N沟道耗尽型MOSFET 三、P沟道MOSFET P沟道MOSFET的工作原理与N沟道MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。 0.4.3 场效应晶体管的参数 1. 开启电压VGS(th) 增强型场效应管参数，栅源电压小于开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。 4. 输入电阻RGS(DC) 栅源输入电阻的典型值， 结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω， 绝缘栅型场效应三极管, RGS约是109～1015Ω。 0.4.4 双极型和场效应型三极管的比较 双极型三极管 场效应三极管 结构