GB/T 32188-2015氮化镓单晶衬底片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法.pdf

(3B 中华人民共和国国彖标淮 GB/T 32188—2015 氮化稼单晶衬底片X射线双晶摇摆曲线 半高宽测试方法 Test method for full width at half maximum of double crystal X-ray rocking curve of GaN single crystal substrate 2015-12-10 发布 2016-11-01 实施 幅畿勰畫曹1警彎畫发布 GB/T 32188—2015 —1— 刖 旨 本标准按照GB/T 1.1—2009给出的规则起草。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)共同提出并归口。 本标准起草单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司、中国科学 院物理研究所、北京天科合达蓝光半导体有限公司、丹东新东方晶体仪器有限公司。 本标准主要起草人：邱永鑫、任国强、刘争晖、 曾雄辉、王建峰、陈小龙、王文军、郑 军、徐科、 赵松彬。 GB/T 32188—2015 氮化稼单晶衬底片X射线双晶摇摆曲线 半高宽测试方法 1范围 本标准规定了利用双晶x射线衍射仪测试氮化稼单晶衬底片摇摆曲线半高宽的方法。 本标准适用于化学气相沉积及其他方法生长制备的氮化傢单晶衬底片。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 14264半导体材料术语 3术语和定义 GB/T 14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 衍射平面 the diffraction plane X射线入射束、衍射束构成的平面。 3.2 半高宽 full width at half maximum；FWHM 摇摆Illi线最大强度一半处Illi线的宽度。 3.3 X 轴 X axis 倾斜样品的轴，由样品台表面和衍射平面相交而成。 3.4 % 角 X angle 样品某晶面与样品表面的夹角。 3.5 卩角 （p angle 样品台绕样品表面法线旋转的角度。 3.6 卩扫描 （p scan 连续改变华角并记录衍射强度的测量模式。 3.7 ® 角 0）angle 人射X射线与样品台表面的夹角。 GB/T 32188—2015 3.8 ® 扫描 co scan 连续改变3角并记录衍射强度的测量模式。 4方法提要 4.1单晶的原子以三维周期性结构排列，其晶体可以看做原子排列于空间垂直距离为〃的一系列平行 平面所形成，当一束平行的单色X射线射人该平面上，且X射线照在相邻平面之间的光程差为其波长 的整数倍即倍时，就会产生衍射(反射)。当入射光束与反射平面间的夹角0、X射线波长入、晶面间距 d及衍射级数同时满足布拉格定理2dsin0 = g时，X射线衍射光束强度将达到最大值，此时的0被 称为布拉格角，记作 b，如图1所示。 图1 X射线衍射原理图 4.2 X射线衍射摇摆曲线用来表征平行X射