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附3． 光学与电子信息 学院 博士 研究生课程简介 课程名称：宽禁带半导体材料与器件 课程代码：182.802 英文名称：Wide Bandgap Semiconductor Materials and Devices 课程类型：□高水平课程 □国际化课程 □高水平国际化课程 ■一般课程 课程类别：□一级学科基础程 □二级学科基础课程 ■专业课程 考核方式：考试 教学方式：讲授 适用层次： 硕士□ 博士■ 开课学期： 春季 总学时/讲授学时：32 学分：2 适用专业：光学工程，物理电子学 课程组教师姓名 职 称 专 业 年 龄 学术专长 陈长清 教授 半导体 44 半导体 戴江南 副教授 半导体 35 半导体 课程教学大纲： 本课程共分为七章进行授课： 第一章 宽禁带半导体导论 第二章 宽禁带半导体材料生长 §2.1 GaN材料生长 §2.1 SiC材料生长 §2.3 ZnO材料生长 第三章 GaN基半导体发光管LED和激光管LD §3.1 GaN基蓝、绿半导体发光管LED §3.2 半导体白光照明 §3.3 大功率半导体发光管 §3.4 GaN基半导体激光管LD 第四章 GaN基深紫外LED和探测器 §4.1 GaN基深紫外发光管LED §4.2 GaN基半导体探测器 第五章 GaN基半导体电子器件 §5.1 AlGaN/GaN异质结 §5.2 GaN基HEMT器件的特性 §5.3 GaN基HEMT器件的电流崩塌效应 §5.4 硅衬底上GaN基HEMT器件 §5.5 GaN基MISHFET和HBT器件 第六章 SiC基半导体器件 §6.1 SiC基光电子器件 §6.2 SiC基整流管 §6.3 SiC基金属-氧化物-半导体场效应管 §6.4 SiC基结型场效应管(JFET)和肖特基栅场效应管(MESFET) §6.5 SiC基双极结型晶体管(BJT)和绝缘栅双极晶体管(IGBT) 第七章 ZnO基半导体器件 §7.1 ZnO基光电子器件 §7.2 ZnO基电子器件 使用教材： 宽禁带半导体材料与器件 （自编） 主要参考书： 半导体发光二极管及固态照明，史光国等，科学出版社 微电子器件与IC设计，刘刚等，科学出版社 碳化硅宽带隙半导体技术，郝跃等，科学出版社 化合物半导体材料与器件，谢孟贤等，电子科技大学出版社 该课程所属基层教学组织（教研室、系）专家小组意见：（该课程是否适合硕士、博士研究生培养的需要？是否与本科生课程重复？是否有稳定的课程组和授课教师队伍？） 专家组长 专 家 年 月 日