半导体器件物理 教学课件 ppt 作者 顾晓清 王广发 二.pptVIP

练习 简单描述P-N结制作方法和杂质分布之间的关系。 什么是空间电荷区？ 什么是势垒区？ 什么是耗尽层？ 内建电场是如何形成的，方向如何？ 试写出突变结和线性缓变结杂质分布的表达式。 试概括平衡时的P-N结有哪些特点。 练习 4-1. 当P-N结外加正向偏置电压时，外加电压形成的电场方向与内建电场______（相反/一致），导致势垒区总的电场强度______（增强/减弱），这说明空间电荷数量______（增多/减少），也就意味着势垒区宽度______（增大/减小），势垒高度______（增大/减小）。此时，电场强度的变化导致载流子的漂移运动______（大于/小于）扩散运动，形成______（净扩散/净漂移），以致势垒区边界载流子浓度______（大于/小于）该区内部，从而在Ｎ区形成______（从Ｎ区势垒边界向Ｎ区内部／从Ｎ区内部向Ｎ区势垒边界）的______（电子／空穴）的______（扩散／漂移），在Ｐ区形成______（从Ｐ区势垒边界向Ｐ区内部／从Ｐ区内部向Ｐ区势垒边界）的______（电子／空穴）的______（扩散／漂移）。 作业 P55 2（补充订正）、3、5 表面对反向漏电流的影响 主要表现在以下三个方面 表面漏电流。 P-N结沟道漏电流。 表面复合电流。 引起上述差别的主要原因有