半导体器件物理 教学课件 ppt 作者 顾晓清 王广发 三.pptVIP

练习 简述晶体管的结构、基本形式和基区杂质分布的形式。 提高发射效率和基区输运系数的方法是什么？ 练习 P73 2，3 3.3 晶体管的反向电流 晶体管的反向电流是晶体管的重要参数之一，它包括ICB0，IEB0和ICE0 。 反向电流过大的危害： 　　　降低成品率 （反向电流不受输入电流控制，对放大作用无贡献，而且消耗电源功率使晶体管发热，影响晶体管工作的稳定性，甚至烧毁 ） 　　　所以，希望反向电流越小越好 。 ICB0 当发射极开路（IE=0）时， 集电极-基极的反向电流 反向电流＝少子电流＋多子电流 ▲集电结加反偏→势垒区两边的少子密度＜平衡时的少子密度→基区中的少子（电子）及集电区中的少子（空穴）都向结区扩散→少子电流 ▲体内复合中心和界面态复合中心→多子电流 ◆锗晶体管的反向电流：反向扩散电流（少子电流） ◆硅晶体管的反向电流：势垒区的产生电流（因为势垒区的产生电流是由势垒区中的复合中心提供的）多子电流 IEB0 集电极开路（IC=0）时， 发射极-基极的反向电流 ◆锗晶体管 ◆硅晶体管的IEB0完全与ICB0类似 注意 晶体管的反向扩散电流和势垒区的产生电流是很小的。 引起反向电流过大的原因往往是表面漏电流太大。 因此，在生产过程中，搞好表面清洁处理及工艺