湖北工业大学考研电力电子技术试卷.docVIP

201 2012年招收硕士学位研究生试卷 试卷代号 909 试卷名称 电力电子技术 ①试题内容不得超过画线范围，试题必须打印，图表清晰，标注准确。 ②考生请注意：答题一律做在答题纸上，做在试卷上一律无效。 第 1 页 共 4 页 一、填空题（每空1分，共40分）： 1、电力电子器件一般工作在________状态。理想器件开通时相当于________,关断时相当于________。 2、在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为________，而当器件开关频率较高时， ________将成为主要功率损耗。 3、GTR、电力MOSFET 、IGBT 的开关速度由快到慢的排列顺序是： 1）________、2）________、3）________。 4、四种基本的电力电子变流电路是：1）整流电路、2）________、3）________、4）________。 5、IGBT 的等效电路模型为：________。 6、晶闸管的双晶体管等效电路模型为：________。 7、在使用IGBT的电力电子电路中，IGBT常并有如图1所示RCD缓冲电路。 湖北工业大学 湖北工业大学2012年招收硕士学位研究生试卷 第 2 页 共 4 页 8、整流电路工作在有源逆变状态的条件是： 1）___________________________________