半导体元件量测试验.ppt

半導體元件量測實驗單元一：元件量測模擬 張書通 大綱 MOS C-V 程式(fit C-V量測曲線) AMPS-1D程式(fit solar cell元件特性曲線) 大綱 MOS C-V 程式 AMPS-1D程式 MOS C-V Characteristics 考慮電子／電洞在反轉區和累積區的分佈。這些分佈是由解Schroedinger和 Poisson方程式自洽（self-consistently）得來的。 Fermi－Dirac分佈使用矽（100）面的物理參數。 此模擬是寫在Matlab上的，主要是由三個檔案：cmos.m、shelec.m、 shhole.m所組成。它是由UC Berkeley Device Group所設計的。 開始執行Matlab之前，我們可以先來編輯cmos.m的參數。 fid1=fopen(cvdata,w); % Initialize output file; first arg is filename T = 300; % temperature (K) Ns =9E17; % Substrate doping concentration (cm^-3) %(-/+ for n/p-type); Tox=2