以共溅镀型高功率脉冲磁控溅镀系统制备TiCrSiN薄膜之研究MOST.docVIP

以共濺鍍型高功率脈衝磁控濺鍍系統製備TiCrSiN薄膜之研究 (MOST 104-2221-E-131-003-MY3) *邱逸翔1 楊永欽1,2 李志偉3,4,5 1國立台北科技大學 材料科學與工程研究所 2國立台北科技大學 材料及資源工程系 3明志科技大學 材料工程系 4明志科技大學 薄膜科技與應用中心 5長庚大學 工學院 摘要 本研究使用結合高功率脈衝磁控濺鍍電源與射頻電源的複合鍍膜系統來鍍製TiCrSiN薄膜，改變射頻電源功率以獲得不同矽含量的薄膜，以生長出不同矽含量與微結構的TiCrSiN薄膜。本研究使用光放射光譜儀以測量靶材毒化磁滯曲線，進而得知最佳的氣體比例。從實驗結果發現，在氮氣流量超過5 sccm時，靶材已完全毒化，並採用氮氣流量為3 sccm進行薄膜的沉積。TiCrSiN薄膜之微結構與機械性質隨著矽含量的不同而有所變化，因為HiPIMS電源產生的高電漿密度與高離子轟擊能量使得氮化鈦基質薄膜晶粒細化，加上鉻、矽元素的固溶強化及非晶氮化矽的晶粒細化效果，進而獲得兼具高硬度、優異附著性與耐磨性質的奈米複合結構TiCrSiN硬質薄膜。 關鍵字：高功率脈衝磁控濺鍍系統，射頻電源，奈米複合TiCrSiN薄膜 一、前言 氮化物薄膜包括二元系統，如氮化鈦和氮化鉻 [1,2]，及三元系統如TiAlN以及CrSiN [3-5]，其具有高硬度及耐磨性等機械性質而被廣泛鍍製於刀、工、