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屏蔽设计技术 基本内容 　基本理论 　电磁屏蔽材料介绍 实用屏蔽技术 案例分析 屏蔽的分类 电屏蔽 对高阻源近场（包含对静电和低频电场的屏 蔽）的屏蔽 磁屏蔽 对低阻源近场（包含对恒流磁场和低频磁场 的屏蔽）的屏蔽 电磁屏蔽 对远区辐射场（平面电磁波）的屏蔽 电屏蔽 —静电屏蔽 静 电 金 属 屏 蔽 体 必 须 良 好 （a）：带电体（干扰源）产生的电场 （b）：不接地封闭金属屏蔽体对带电体电场的屏蔽 接 地 （c）：接地封闭金属屏蔽体对带电体电场的屏蔽 电屏蔽 —低频电场屏蔽 A  C1  B  A:干扰源 B:受感器 UA  C2  UB  C1:A与B间的分布电容 C2:B与地间的分布电容 U B??  C1 C1?? C2  U A 电屏蔽 —低频电场屏蔽 金 A UA  C3  S  C1’  C4  C2  B  UB’ C1  U A 属 屏 蔽 体 应 尽 可 能 靠 近 受 感  金 属 屏 蔽 体 必 须 良 好 接 地 C4：B与S间地分布电容 S:金属屏蔽体 器U B??C1?? C2?? C4 U B?? C1?? C2?? C4 磁屏蔽 H0  H1 高磁导率材料  H0 对强磁场的屏蔽 低μ材料 高μ材料：易饱和  高μ材料 电磁屏蔽 屏蔽前的场强E1  屏 蔽 体  屏蔽后的场强E2 屏蔽效能：  SE = 20 log10 ( E1 / E2 )  dB 实心材料屏蔽效能的计算 (εμσ) 入射波  SE ＝ A ＋ R + B  ( dB ) 反射波  透射波  A---吸收衰减损耗 R---反射损耗 (εrμrσr ) σr =σ /σcu  B---多重反射修正因子 吸收衰减损耗的计算 E0  ?  0.37E0  A?? 131.43 f? r? r t x  ? 8.686  t?  ( dB ) t –x /?? ?1  t ---屏蔽体厚度（米） f---电磁波频率（Hz） 吸收衰减损耗与屏蔽体的厚度成正比E = E0 e E = E0 e 反射损耗的计算 R ＝ 20 lg  ZW 4 Zs  （dB）  ZW:在空气中的波阻抗 ZS:在屏蔽体中的波阻抗 ZS = 3.68??10-7√ f??r /??r（良导体屏蔽体） R?? 168 .2?? 10 lg  f?? r ? r  （dB）（对远场平面波） 反射损耗R取决于两种媒质波阻抗 的比值，与屏蔽体的厚度无关 多重反射修正因子的计算 ?  t t  ? ?  (dB) 多重反射修正因子由金属板的厚度与 趋肤深度的比值决定。当t/δ大于0.8 时，B基本上可以忽略不计?? 2? 4tB?? 10 lg?1?? 2 ? ? 2 ? 4 t B?? 10 lg?1?? 2e??? cos(2?? )?? e??? ? ? 屏蔽设计技术 例：0.1mm铜板的屏蔽效能 500 450 400 350 300 250 200 150 100  屏 蔽 体 足 以 满 足 屏 蔽 要 求  对 于 平 面 波 金 属 材 料 作 3 4 5 6 7 8 9 frequency 屏效随平面波频率的变化S E (dB) S E (dB) 屏蔽设计技术 实现良好电磁屏蔽的关键 尽量保证金属屏蔽体的导电连续性 不让导线直接穿过金属屏蔽体 屏蔽设计技术 实际屏蔽问题 实际屏蔽机箱上有许多泄漏源：不同部分结合处的缝隙 、通风口、显示窗、按键、指示灯、电缆线、电源线等 缝隙  显示窗  键盘  电源线 通风口 调节旋钮  电缆插座  指示灯 屏蔽设计技术 金属腔的谐振 任何封闭金属空腔都能产生电磁谐振现象。 对于矩形空腔，其 固有谐振频率为：  m 2 n 2 k 2 l w h  (MHz) l , w, h＿金属腔的长、宽、高，单位米。 m , n, k＿分别为0，1，2…等正整数，但不能二个或三个同时取零。 对于金属屏蔽腔，其谐振是有害的。当激励源使屏蔽 腔产生谐振时，会使屏蔽腔的屏蔽效能大大下降。因 此，在设计时，应使屏蔽腔的谐振频率避开产品的主 要工作频率，使它们不一致。f 0?? 150 ( )?? ( )?? ( ) f 0?? 150 ( )?? ( )?? ( ) 屏蔽设计技术 导体板上孔缝的影响 h  L  L 屏蔽设计技术 缝隙的影响－电路等效 低频起主要作用  高频起主要作用 屏蔽设计技术 缝隙的处理 电磁密封衬垫 缝隙 屏蔽设计技术 电磁密封衬垫的种类 金属丝网衬垫(带橡胶芯的和空心的) 导电橡胶(不同导电填充物的) 指形簧片