氧化铟纳米材料的制备与其发光性能和场发射性能的分析.pdfVIP

摘要 氧化铟(In203)纳米材料以其宽带隙，良好的导电性，低电子亲和势，高击穿电场 和更好的化学稳定性等优点，在这些宽禁带半导体纳米材料中逐渐变成了研究热点，在 光电子器件、气敏材料、太阳能发电板和显示器材设备等方面有着很好的前景。近年来， 对氧化铟纳米结构的制备和性能研究，研究人员已经取得了一些进展。近年来，研究人 员通过多种物理和化学方法制备出氧化铟材料的各种纳米结构，在氧化铟纳米结构的发 光性能研究领域的也有了相应的进展，但是还有一些关于制备工艺、发光机理和场发射 性能等问题没有研究清楚。所以本论文就通过实验的方法，利用CVD方法控制各种纳 米结构的制备参数，找出制备In203纳米结构的最佳制备工艺，并通过对其微观结构和 成分等的分析，然后再进行发光测量和场发射性能测量，为以后的氧化铟纳米结构制备 和性能研究提供一定参考意义。本论文的主要内容和创新点如下： 采用化学气相沉积(cVD)的方法，通过适当地控制制备工程中的工艺参数，如载 气流量、保温时间和保温温度等，我们成功制备了№03纳米颗粒、纳米线、Fe掺杂的 纳米线等，其中Fe掺杂In203纳米线很少有人合成。 成和含量进行测量。 过测量产物的光致发光谱，我们认识到不同的纳米结构中存在着不同的峰位发光。