电路基础与集成电子技术-45 场效应半导体晶体管.pptVIP

当UGS=0，加有一定UDS时，形成的漏极电流称为漏极饱和电流IDSS。当UGS＜0时，PN结反偏，ID将减小。 当UDS增加到使UGD=UGS-UDS=UGS(off)时，在紧靠漏极 处出现预夹断。当UDS继续增加，漏极处的预夹断区继续向 源极方向生长延长，直至漏极电流等于0。 JFET的特性曲线有两条，一是转移特性曲线， 二是输出特性曲线。它与MOSFET的特性曲线基本 相同，只不过MOSFET的栅压可正、可负，而结型 场效应管的栅压只能是P沟道的为正或N沟道的为负， 以使栅源间反偏，没有栅流。JFET的特性曲线如图 4.5.4(a)和图4.5.4(b)所示。 场效应晶体管的参数分为直流参数、交流参数和极限参数三类： ① 开启电压UGS(th) (或UT)----开启电压是增强型MOS管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值, 场效应管不导通。 场效应晶体管的型号, 现行有两种命名方法。其一是与 双极型晶体管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表 绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料。 例如，3DJ6D是结型N沟道场效应晶体管，3DO6C是绝缘 栅型N沟道场效应晶体管。 几种常用的场效应晶体管的主要参数。