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第一节 半导体的特性 1. 半导体(semiconductor) 共价键 半导体材料 硅和锗 硅原子序数 14=2+8+4 锗 32= 2+8+18+4 一、本征半导体(intrinsic semiconductors) 价电子 在硅(或锗)的晶体中, 原子在空间排列成规则的晶格。 晶体中的价电子与共价键 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 半导体的特点：热敏、光敏、掺杂 2. 本征半导体(intrinsic semiconductors) 在本征半导体中，由于晶体中共价键的结合力很强， 在热力学温度零度（即T = 0K -273℃）时， 价电子的能量不足以挣脱共价键的束缚， 晶体中不存在能够导电的载流子， 半导体不能导电，如同绝缘体一样。 本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。 无杂质 稳定的结构 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 本征半导体中的载流子 带负电的自由电子 Free electron 带正电的空穴 hole 如果温度升高，（或受到光照 获得能量 本征激发） 少数价电子将挣脱共价键束缚成为自由电子。 在原来的共价键位置留下一个空位， 称之为空穴。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 半导体中存在两种载流子： 带负电的自由电子和带正电的空穴。 在一定温度下电子 - 空穴对的产生和复合达到动态平衡。 在本征半导体中， 两种载流子总是成对出现 称为 自由电子 – 空穴对 本征载流子的浓度对温度十分敏感，指数规律 电子-空穴对 两种载流子浓度相等 动态平衡 在一定温度下本征半导体中载流子的浓度是一定的，并且自由电子与空穴的浓度相等。 T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度: n = p =1.43×1010/cm3 本征锗的电子和空穴浓度: 　　n = p =2.38×1013/cm3 载流子的浓度与温度密切相关，它随着温度的升　　　高，基本按指数规律增加。 1. N型（电子型）半导体 (N-type semiconductor) 二、 杂质半导体（为什么要掺杂） 则原来晶格中的某些硅原子将被杂质原子代替。 杂质原子与周围四个硅原子组成共价键时多余一个电子。 这个电子只受自身原子核吸引，在室温下可成为自由电子。 在4价的硅或锗中掺入少量的5价杂质元素（磷 、锑、砷） 在本征半导体中掺入某种特定的杂质，就成为杂质半导体。 +5 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 自由电子 +5 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 失去自由电子的杂质原子固定在晶格上不能移动， 并带有正电荷，称为正离子。 在这种杂质半导体中， 电子的浓度大大高于空穴的浓度。 因主要依靠电子导电， 故称为电子型半导体。 多数载流子 Majority carrier 少数载流子 Minority carrier 5价的杂质原子可以提供电子，所以称为施主原子。 思考题：N型半导体的成分分析 掺入100个5价杂质，热运动产生2对电子空穴对，问N性半导体中多子，少子，正离子各有多少个？ +5 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +3 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 在硅或锗晶体中掺入少量（比例很小）的3价杂质元素（硼） 空位 2. P型半导体(P-type semiconductor) 当它与周围的硅原子组成共价键时， 将缺少一个价电子， 产生了一个空位。 空位为电中性。 硅原子外层电子由于热运动填补此空位时， 杂质原子成为负离子， 硅原子的共价键中产生一个空穴。 在这种杂质半导体中，空穴的浓度远高于自由电子的浓度。 +3 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴 在室温下仍有电子-空穴对的产生和复合。 多数 载流子 P型半导体主要依靠空穴导电，所以又称为空穴型半导体。 3价的杂质原子产生多余的空穴，起着接受电子的作用，所以称为受主原子。 少数 载流子 P型半导体的成分分析 掺入199个3价杂质，热运动产生7对电子空穴对，问P型半导体中多子，少子，负离子各有多少个？ +3 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 说明： 　　1. 掺入杂质的浓度决定多数载流子浓度；温度决定少数载流子的浓度。 3. 杂质半导体总体上保持电中性。 4. 杂质半导体的表示方法如下图所示。 　　2. 杂质半导体载流子的数目要远远高于本征半导体，因而其导电能力大大改善。 (a)N 型半导体 (b) P 型半导体 杂质半导体的的简化表示法 在杂质半导体中： 杂质浓度不应